场效应管放大电路.docxVIP

zls整理合集 资料合集 第四章 场效应管放大电路 结型场效应管 4．11 结构 结型场效应管有两种结构形式：N 型沟道结型场效应管和 P 型沟道结型场效应管。如图（1） P＋ N＋ D D S S N型沟道 P型沟道 N沟道 (d) P沟道 4．12 工作原理 图（1）结型场效应管的结构示意图和符号 在D、S间加上电压UDS,则源极和漏极之间形成电流ID,我们通过改变栅极和源极的反向电 压UGS,就可以改变两个PN结阻挡层的（耗尽层）的宽度,这样就改变了沟道电阻,因此就改变了漏极电流ID。 UGS 对导电沟道的影响假设 Uds=0： 当 Ugs 由零向负值增大时,PN 结的阻挡层加厚,沟道变厚,电阻增大。如图（2）中（a） （b）所示。 若 Ugs 的负值再进一步增大,当 Ugs=Up 时两个 PN 结的阻挡层相遇,沟道消失,我们称为沟道被“夹断“了,Up 称为夹断电压,此时 Id=0,如图（2）中（c）所示。 ID＝0 ID＝0 ID＝0 G UGS＝0 UGS＜0 UGS＝ －UP 图（2）当 UDS=0 时 UGS 对导电沟道的影响示意 ID 与 UDS、UGS 之间的关系 假定栅,源电压|Ugs|〈|Up|,如 Ugs=-1V,而 Up=-4V,当漏,源之间加上电压 Uds=2V 时, 沟道中将所有的电流 Id 通过。此电流将沿着沟道的方向产生一个电压降,这样沟道上各点的电位就不同,因而沟道内各点的栅极之间的电位差也就各不相等。漏电端与栅极之间的反 向电压最高,如 Udg=Uds-Ugs=2 -（-1）=3V,沿着沟道向下逐渐降低,使源极端沟道较宽, 而靠近漏极端的沟道较窄。如图（3）中（a）。此时,若增大 Uds,由于沟道电阻增大较慢,所以 Id 随之增加。当 Uds 进一步怎家到使栅,漏间电压 Ugd 等于 Up 时,即 Ugd=Ugs-Uds=Up 则在 D 极附近,两个 PN 结的阻挡层相遇,如图（3）（b）所示,我们称为预夹断。如果继续升高 Uds,就会使夹断区向源极端方向发展,沟道增加。由于沟道电阻的增长速率与 Uds 的增加速率基本相同,故这一期间 Id 趋于恒定值,不随 Uds 的增大而增大,此时,漏极电流的大小仅取决于 Ugs 的大小。Ugs 越负,沟道电阻越大,Id 便越小,直到 Ugs=Up,沟道被完全夹断,Id=0,如图（3）（c）所示。 UGS＜0, UDG＜|UP| UGS＜0 , UDG＜|UP| 预夹断 UGS≤ UP , UDG＞|UP| 夹 断 4.1.3 特性曲线 1.输出特性曲线 图 （3）UDS 对导电沟道和 ID 的影响 输出特性是指栅源电压 uGS 一定, 漏极电流 iD 与漏极电压 uDS 之间的关系, 即 iD ? f (uDS)  uGS ?常数 根据工作情况, 输出特性可划分为4 个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。 截止区  BUDSS 2．转移特性 在 uDS 一定时, 漏极电流 iD 与栅源电压 uGS 之间的关系称为转移特性。 即 ID ? f (UGS ) U  DS?常数 DS 在 UGS(off)≤uGS≤0 的范围内, 漏极电流 iD 与栅极电压 uGS 的关系为 2? UGS ? 2  －4 －3 －2 －1  0 uGS / V ?UID ? IDSS ??1 ? ?? ? U P ? 4′ 1UDS＝UDS 1 3′ 2UDS＝UDS 2 2′ U1′ U P iD / mA iD / mA 6 6 5 5 4 4 3 3 2 2 1 1  4 UGS＝0 3 －1 V 2 －2 V 1 －3 V －4 V －4 －3 －2 －1 0 uGS / V 0 UDS 4 8 UDS 12 uDS / V 2 1 绝缘栅场效应管 由输出特性画转移特性 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1） 结构及符号 绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是 N 沟道型和 P 沟道型。无论是什麽沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。 s g d SiO2 d g g s 衬底引线 (b) (c) 图 （4）增强型 MOS 管结构及符号图 (a) N 沟道结构图; (b) N 沟道符号; (c) P 沟道符号 工作原理 它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。 N＋ N＋ 特性曲性 （1）N 沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线。如图（5）(a)所示。 在 uGS≥UGS（th） 时, iD 与 uGS 的关系可用下式表示: iD ? I ( uGS