硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究_图文.docVIP

、、、、、、、、ｈ、、、、～ ｜ＩＩＩＩｌｌｌ［ＩＩｌｌＩｌｌｌＩＩｆｌｌｌｌｌＩｌｌｌ’／ ｝Ｙ１９４３０８３ 学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得直昌太堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何 。 贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意：一一‘ ． 学位论文作者签名：签字日期：年月日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解直星太差有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权直昌太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 （保密的学位论文在解密后适用本授权书）‘ 导师签名：． 年月日签字日期：年月日检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。同时授‘权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到＜中国学位论文全文数据库》，并通过网络向社会公众提供信息服务。学位论文作者签名：签字日期： ／／ 摘要 摘要 近几年来，在Ｓｉ衬底上生长ＧａＮ取得了很大的进展。相对于不导电的蓝宝石衬底，Ｓｉ衬底的散热好，价格低，并且已经成功研制出了垂直结构的ＬＥＤ。相对于同侧结构的ＬＥＤ，垂直结构的ＧａＮ基ＬＥＤ能够缓解电流拥堵，散热性差等同侧结构ＬＥＤ的固有缺点，有效提高器件的可靠性与寿命，并且可以采用表面粗化以及反射镜来提高器件光提取效率。Ｓｉ村底垂直结构的ＬＥＤ，仅用简单的化学腐蚀就可以轻松去除，这成为其又一巨大的优势。本文研究￥ｉＯＮ钝化层对Ｓｉ衬底ＧａＮ基蓝绿光ＬＥＤｓ稳定性能的影响以及Ａｇ与Ｓｉ衬底Ｐ－ＧａＮ欧姆接触和反射率。获得的部分创新研究成果有： 对４种不同钝化层Ｓｉ衬底绿光ＬＥＤｓ进行超大电流密度（３１２Ａ／ｅｍｚ）加速老化。结果表明完全钝化（侧面和台面均钝化）的硅衬底绿光ＬＥＤ呈现良好的可靠性。ＳｉＯＮ（尤其是侧边钝化层）能钝化芯片表面态，抑制老化过程中的热生缺陷的产生，从而减少漏电流，降低光功率衰减等。长有ＳｉＯＮ钝化层的Ｓｉ衬底蓝绿光ＬＥＤｓ的光功率分别提高１２．９％和７．４％．此外，值得一提的是，在电流密度高达３１２Ａ／ｅｍ２时加速老化１６８小时，即使无钝化层的样品，２０ｍＡ工作电流下光功率衰减也仅为１０．９４％。经３０ｍＡ电流（大电流密度１５６Ａ／ｅｒａ２）老化１０３２小时后，有钝化层的绿光ＬＥＤｓ的波长漂移小于０．７ｒｉｍ，Ⅵ２变化为０．００３Ｖ，基本没有变化。ＳｉＯＮ钝化层能有效吸收蓝光ＬＥＤｓ发光中的短波辐射以及隔离 ’ 环氧与高温芯片，减缓对环氧树脂的老化，从而降低芯片的光衰。 为了测量３种Ｍｇ激活条件和不同退火温度下Ｐ面Ａｇ的反射率，找出最佳的工艺条件，本实验首次提出用蓝宝石ＬＥＤ外延片在３种激活条件下，不同退火温度下退火，并测量了Ａｇ的反射率。结果表明牺牲Ｎｉ工艺的Ａｇ反射率随着退火温度一直升高。而牺牲Ｐｔ在４００＂１２最高．随后降低。用Ｓｉ衬底ＬＥＤ外延片，在不同激活条件和不同温度下退火，结果表明３００℃牺牲Ｐｔ的Ｉ．ｖ性能最佳，但是随后下降与牺牲Ｎｉ的无区别。综合Ｉ．ｖ特性和反射率，文本结果为在５００＂Ｃ牺牲Ｎｉ的条件最佳。对比有无Ｃｒ／Ｐｔ覆盖层，在不同温度下退火以及ＡＦＭ的粗糙度，结果表明Ａｇ球聚导致反射率降低。Ｃｒ／Ｐｔ覆盖层能有效防止Ａｇ发生球聚，提高反射率。４００＂Ｃ退火，在玻璃上测试的有Ｃｒ／Ｐｔ覆盖层的Ａｇ的反射率达到９２．６８％，与理论值９６％很接近。 以上研宄结果在本单位生产基地芯片生产中部分采用。本文得到了国家８６３课题和教育部半导体照明技术创新团队研究经费的资助．关键词：Ｓｉ衬底；ＳｉＯＮ；ＧａＮ?ＬＥＤ；光衰；欧姆接触 Ａｂｓｕ＇ａｃｔ ＡＢＳＴＲＡＣＴ ｎｅ印ｉｔａｘｉａｌｇｒｏｗｔｈｏｆＧａＮ０ｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｈａｓｍａｄｅｍｕｃｈｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎｒｅｃｅｎｔ ｃｏｎｃｅｒｎｓｙｅａｒｓ．Ｔｈｅｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙａｎｄｔｈｅｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｔｈｅｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙａｒｅｐｒｉｍａｒｙ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ．Ｃｏｍｐａｒｅ ｂａｓｅｄｏｎｆｏｒｔｏｔｈｅｌａｔｅｒａｌＬＥＤｓ，ｔｈｅｖｃｒｔｉｃａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅＬＥＤｓＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｈａｖｅ ｕｓｅｎｏｃｕｒｒｅｎｔ凹ｏｗｄｍｇａｎｄｔｈｅｒｍａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｐｒｏｂｌｅｍｓ．Ｂｅｓｉｄｅｓ，ｔｈｅｏｆｔｈｅｍｅｔａｌｒｅｆｌｅｃｔｏｒａｎｄ跚位ｅｒｏｕｇｈｅｎｉｎｇＣａｎｅｎｈａｎｃ℃ｔｈｅｌｉ业￡ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ．Ｉ