《太阳能电池基础与应用》gaas电池第一讲.docxVIP

电池效率表 GaAs及III-V族半导体基础 结构及光学特性 ? III-V族半导体均为 闪锌矿结构, 是目前 半导体光电子学的基 础材料。 ? 直接带隙。GaAs 带隙~1.42eV，位于 太阳电池黄金带隙附 近。 GaAs及III-V族半导体基础 结构及光学特性 带隙-晶格参数关系 Ge GaAs及III-V族半导体基础 应用领域 III-V族半导体应用 GaAs及III-V族半导体基础 材料制备 MOCVD 设备外观 金属有机物化学气 相外延(MOCVD)， GaAs及III-V族太阳 电池的主流制备技 术。 设备原理图 商用衬底 多片衬底，适合大规模工业生产 GaAs及III-V族半导体基础 电学掺杂 电学掺杂 GaAs及III-V族半导体基础 EQE测量 EQE测量 Beam splitter Chopper Monochromator equipped with more gratings EQE vs. ? EG ? 单结电池只需要与标准电池(具有已知的量 子效率曲线)响应谱比较即可得到量子效率谱。 思考: 1) 双结电池的量子效率谱如何测量? 2) 三结电池呢？ GaAs单结电池 电池结构 GaAs单结电池结构 高掺杂层，抑制金属 接触界面处复合 高掺杂过渡层，既能 光吸收及载流子分离 保证后续外延生长的 高质量，又能提供较 好的电连接特性 若 n+-GaAs过 渡 层 质 量 好 ， n-AlGaAs 层 亦可去掉 电池结构示意图 AlGaAs窗口层作用： 1) 钝化GaAs表面(晶格匹配)； 2) 提供反射电场, 抑制少子界面复 电池能带示意图 合；选取原则：合理的带价，适当 的少子势垒。 GaAs单结电池 效率限制因素 GaAs单结电池效率瓶颈 传统GaAs单结电池无背减反 获取高效电池，必须 提高内量效率。 GaAs单结电池 背反射与电池性能 背反射率对电池性能的影响 背面反射率越高, 电池性能越好。 GaAs单结电池 ELO与高效电池 外延剥离(ELO) ? 牺牲层：AlAs； ? ELO后可制备金 属反射层； ? 金属反射层大幅 提高了电池效率。 28.8%，单节电池的世界纪录！柔性电池。 大幅提高 GaAs单结电池 ELO与高效电池 ELO柔性电池制备 GaAs单结电池 ELO与高效电池 ELO柔性电池应用 军用电源 轻便高效， 用途广泛。 消费电子 ? 衬底再利用并不影响电池性 能，商用产品可靠性有保证。 GaAs单结电池 ELO与高效电池 ELO工艺 中间产物含： 反应物毒性 GaAs单结电池 改进ELO工艺 改进ELO工艺 ? 传统ELO工艺使 用HF作为腐蚀液； 衬底表面粗糙，使 用效果不好。 ? 新ELO使用HCl 作为腐蚀液；所得 衬底表面平坦，粗 糙度有一个量级的 下降，直接使用效 果更好。 牺牲层：InAlP GaAs单结电池 改进ELO工艺 改进ELO工艺 粗糙表面 平坦表面 稳定的表 面钝化层 As局域腐蚀 ? HF对GaAs有一定的 腐蚀作用，因而表面粗 糙； ? HCl不 腐 蚀 GaAs， 因而表面更平坦。 GaAs单结电池 改进ELO工艺 改进ELO工艺 ? 传统ELO工艺所得衬底须经化学机械抛 光，造成一定的材料损失；否则使用效果 大打折扣； ? 新ELO使用所得衬底可直接使用，电池 性能重复性好；更节省材料。 ELO工艺 改进ELO工艺 III-V族半导体多结电池 电池结构 多结电池结构 ? 多结电池上下串联； ? 电池电流由子电流 最小者决定； ? 电池开路电压为子 电池开路电压之和。 VOC = VOC1 + VOC2 + … J = min (J1 + J2 + …) 多结电池示意图 Cell 1 Cell 2 Cell 3 III-V族半导体多结电池 电池设计 设计思路 入射日光 反射损失 单结电流 内量子效率 光吸收 单结开压 暗电流 多结设计思路 1）设定格子电池Eg或厚度x，计算各子电池 电流 ，求最小，设为J； 2） 3） ，求得最大功率点Jm及Vm, 求 得最大功率Pm。 III-V族半导体多结电池 晶格匹配电池 为什么晶格匹配？ 匹配外延，界面无弛豫位错 ? 当外延层应变能超过位错形成能时，会在 界面处引入失配位错；晶格由共格应变状态 到无应变状态的转变称为应力弛豫；形成位 错的起始厚度称为临界厚度。 ? 失配度越大，临界厚度越小； 失配外延，界面出现弛豫位错 ? 位错是复合中心。 III-V族半导体多结电池 晶格匹配电池 如何表征是否弛豫 ? 通过TEM进行截 面观察； 成本高，局域 ? 通过弹性力学经 验公式，计算临界 厚度，并与实际厚 度比较；误差大 ? 根据x射线2θ- θ 衍射谱峰位进行判 新材料往往误判 断； ? 拉曼谱； 微弱弛豫