《半导体器件物理》第4章_6超浅结离子掺杂技术.ppt

4.4 超浅结离子掺杂技术 MOS器件的开关特性由阈值电压来控制。当有效沟道长度减小后，电荷分享和漏致势垒降低效应将使阈值电压减小。这就是通常的短沟道效应（SCE）。SCE的经验数学表达式为： 根据半导体工业协会SIA（Semiconductor Industry Association)预测，对于栅长180nm的器件，其结深应为54±18nm；而对于100nm的器件，其结深应为30±10nm。 在要求浅结的同时，其掺杂层还必须具有低的串联电阻及低的泄漏电流。为了实现这些目标，需要人们对源、漏掺杂和体内、沟道内的掺杂给予更多关注。 4.4.1 存在问题 1 串联电阻 源、漏的寄生电阻随结深的减少而上升，会减小MOS器件的驱动电流和逻辑电路的噪声容限。 串联电阻包括接触电阻、扩散区薄层电阻、扩展电阻和沟道边缘的积累层电阻。 采用硅化物技术一定程度上仅仅是减小了接触电阻，而接触电阻与金属接触及接触处掺杂情况有关。采用超浅结技术要注意考虑减小串联电阻。 沟道峰值电场可表示为 为减小漏端边界的高电场，一般是使用超浅轻掺杂漏LDD (Low Doped Drain）结构。LDD结构可以有效抑制漏端边界的高电场，从而减小HCE效应，增加器件的使用寿命。但是，LDD结构的采用却增加了源漏的寄生电阻，影响了器件工作的驱动电流。为在这两者之间得到折中，实际的器件是采用双结技术方案：在LDD结构区使用轻掺杂的超浅结，在源漏结构区使用重掺杂的深结。这样，LDD结构的超浅结可以克服SCE和HCE效应，而邻近的重掺杂深结可以优化器件的金属化程度，减小寄生的串联电阻。 3 结深、掺杂分布、激活和损伤 超浅结工艺包括杂质的引人、退火激活和杂质扩散。通常，必须以最大的杂质激活和最小的杂质扩散为优化目标。因为很高的杂质激活意味着掺杂原子的大部分将提供材料中的载流子，这对减小串联电阻是非常重要的。 另外，一个重要工艺参数是结的掺杂分布。当结的分布是突变的、从表面到结有近似恒定的浓度时，可以获得最小的薄层电阻和积累层电阻。 对一个给定的掺杂水平而言，可能得到的最小薄层电阻和结深的关系如图所示。 具有相同的表面浓度和结深的实际器件，如果其掺杂分布是线性缓变的，串联电阻总是较高。 可能得到的最小薄层电阻和结深的关系如图 如果结的掺杂分布是高斯函数或指数函数，结的最小深度必须增加，对于指数分布，结深必须比突变分布大5倍以上，以避免耗尽。（杂志分布和势垒） 4 工艺集成 新的超浅结技术还必须考虑到工艺集成的需要。首先需要考虑的是新超浅结技术是否可以集成到现有的CMOS工艺中而且不引起器件性能的退化，并不需要较大的工艺变化。 还必须考虑新超浅结技术是否可以同时用于n+P和p+n结，同时完成源漏及栅掺杂；是否会造成栅氧化层中陷阱的充放电和物理损伤；会引入可充当深能级中心的重金属元素和影响杂质扩散、激活和器件可靠性的氟、氢、碳、氮等元素沾污。 4.4.2超浅结离子掺杂新技术 目前，浅结制备采用传统的离子束注人技术，通过减小注人能量、降低热处理的温度和时间等等实现。但是，这些技术实现超浅结是有很多问题的：一是瞬态增强扩散的限制，二是激活程度的要求；三是深能级中心缺陷的问题。 新的超浅结离子掺杂技术正处于快速发展之中，一些极有希望的技术方案，如等离子体浸人掺杂，投射式气体浸人激光掺杂，快速气相掺杂，离子淋浴掺杂和十硼烷团簇注人等等，已进行了深人的研究。 * * 在短沟道器件中，因漏端的饱和电压随沟道长度的减小而减小，故HCE效应更严重。器件模拟表明：对沟道浓度为1X1018cm-3和源-漏峰值浓度为1 x1021cm-3的高斯分布，当源漏结深从100nm减小到50nm，沟道峰值电场将上升55％；而当结深从50nm减小到20nm，峰值电场将上升30％。