PN结的单向导电性.docxVIP

大家好，这节课我们来学习PN结的单向导电性。学习PN结的单向导电性是理解PN结的整流效应的基础，而了解PN结整流效应是灵活运用PN结器件的前提。通过这节课的学习，可以为生活中PN结器件的运用奠定基石。 这节课的学习内容主要包括两个部分，一是PN结的单向导电性，主要介绍了PN结的正向直流特性，反向直流特性，单向导电性以及温度对于电流密度的影响；二是反偏PN结直流特性，主要介绍了反向PN结电流的组成成分，包括反向扩散电流和反向势垒产生电流。 首先我们来介绍一下PN结的正向直流特性。如图所示，在正向偏压下，正向电流密度随正向偏压呈指数关系迅速增大。在室温下，k0T/q=0.026V，一般外加正向偏压约零点几伏，故exp(qV/k0T)?1，上式可以表示为： 下面我们来介绍一下PN结的反向直流特性。在反向偏压下，V0，当q|V|远大于k0T时，exp(qV/k0T)趋于零，式可表示为： 式中负号表示电流密度方向与正向时相反，而且反向电流密度为常量，与外加电压无关，故称 -Js 为反向饱和电流密度。 下面我们来介绍一下PN结的单向导电性。通过前面两小节的学习我们可以绘制出PN结的 J-V关系曲线，如图所示。可见在正向及反向偏压下，曲线是不对称的，表现出PN结具有单向导电性或整流效应。 下面我们来介绍一下温度对电流密度的影响。对于反向电流密度 -Js ，因为式中两项的情况类似，所以只考虑前面提到的式（2）中的第一项即可。因Dn、Ln、np0与温度有关设与成正比，为一常数，则有 式中随温度变化较缓慢，故Js 随温度变化主要由决定。因此，Js 随温度升高而迅速增大，并且 Eg 越大的半导体，Js 变化越快。因为，设 ，Eg（0）为绝对零度时的禁带宽度，Vg0 为绝对零度时导带底和价带顶的电势差，将上述关系代入上式中，则加正向偏压VF 时。式（1）表示的正向电流与温度关系为：所以正向电流密度随温度上升而增加。 下面我来介绍一下PN结反向扩散电流。当PN结反偏时，V0，此时势垒边界处的非平衡少子浓度比平衡时小，势垒有抽取非平衡少子的作用，扩散电流方向是体内向边界处扩散。当V不变时，边界处的非平衡少子的浓度一定，形成稳态扩散。当反偏电压绝对值足够大时，势垒边界处的非平衡少子几乎被抽取光了，此时边界少子浓度为零，与体内少子浓度的梯度不再随外加反向偏压的变化而变化，即反向电流趋于饱和。 下面我来介绍一下PN结反向势垒产生电流 。在反向偏压时，实际测得的反向电流比理论计算值大得多，而且反向电流是不饱和的，随反向偏压的增大略有增加。这说明理想电流电压方程式没有完全反映外加电压下的PN结情况，还必须考虑其他因素的影响。其中的主要因素是存在反向势垒产生电流。 在反偏时，势垒区内的电场加强，在势垒区内，由于热激发的作用，载流子产生率大于复合率，具有净产生，从而形成另一部分反向电流，称为势垒区的产生电流，以IG表示。 若PN结势垒区宽度为Xm，则势垒区产生电流密度为： 由式（2）得PN结反向扩散电流密度为 ：锗的禁带宽度小，ni2大，在室温下从（4）式算得的JRD比从（3）式算得的JG大得多，所以在反向电流中扩散电流起主要作用。硅，禁带宽度比较宽，ni2小，所以JG的值比JRD值大得多，因此在反向电流中势垒产生电流占主要地位。由于势垒区宽度Xm随反向偏压的增加而变宽，所以势垒区产生电流不是饱和的，随反向偏压增加而缓慢地增加。 最后我们来回顾一下这节课学习的内容。主要包括两个部分，一是PN结的单向导电性，主要介绍了PN结的正向直流特性，反向直流特性，单向导电性以及温度对电流密度的影响；二是反偏PN结直流特性，主要介绍了PN结反向扩散电流和PN结反向势垒产生电流。