第2章光电器件基础 26节yuan.pptVIP

2.6 光电效应 当光照射到物体上，使物体发射电子、或导电率发生变 化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性的 改变统称为 光电效应 。 光电效应可分为 : ? 内光电效应 ? 外光电效应 物质被光照射后所产生的载流子 仍在物质内部运动，使物质的电 导率发生变化或产生光生伏特的 现象。 物质被光照射产生的电子 逸出物质表面，形成真空 中的电子的现象。 2.6.1 内光电效应 1. 光电导效应 当半导体受到光照射后，其内部产生光生载流子，使半导 体中载流子数显著增加而电阻减小的现象称为 光电导效应 。 光电导效应可分为 ? 本征光电导效应 ? 杂质光电导效应 在光的作用下由本征 吸收引起的半导体电 导率的变化现象。 在光的作用下由杂质吸收引起的半 导体电导率的变化现象。 图 2-12 光电导体 如果通量为 Φ e, λ 的单色辐射入射到如图 2-12 所示的光电 导体上，波长 λ 的单色辐射全部被吸收，则光敏层单位时间 （每秒）所吸收的 量子数密度 N e, λ 为 （ 2-73 ） 光敏层每秒产生的 电子数密度 G e 为 （ 2-74 ） 式中 η 为半导体材料的量子效率。 在热平衡状态下，半导体的热电子产生率 G t 与热电子复 合率 r t 相平衡。光敏层内电子总产生率应为热电子产生率 G t 与光电子产生率 G e 之和 （ 2-75 ） 导带中的电子与价带中的空穴的 总复合率 R 为 （ 2-76 ） 式中， K f 为载流子的复合几率， Δ n 为导带中的光生电子浓度， Δ p 为价带中的光生空穴浓度， n i 与 p i 分别为热激发电子与空 穴的浓度。 热电子复合率 r t 与导带内热电子浓度 n i 及价带内空穴浓度 p i 的乘积成正比。即 （ 2-77 ） 在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。即 （ 2-78 ） 在非平衡状态下，载流子的时间变化率应等于载流子的总 产生率与总复合率的差。即 （ 2-79 ） （ 1 ）在微弱辐射作用下 ，光生载流子浓度 Δ n 远小于热激发电 子浓度 n i ，光生空穴浓度 Δ p 远小于热激发空穴的浓度 p i ，并考 虑到本征吸收的特点： Δ n =Δ p ，式（ 2-79 ）可简化为 利用初始条件 t = 0 时， Δ n = 0 ，解微分方程得 （ 2-80 ） 式中 τ =1/ K f ( n i + p i ) 称为 载流子的平均寿命 。 光激发载流子浓度随时间按指数规律上升，当 t τ 时， 载流子浓度 Δ n 达到稳态值 Δ n 0 ，即达到动态平衡状态，有 （ 2-81 ） 光激发载流子引起半导体电导率的变化 Δ σ 为 （ 2-82 ） 式中， μ 为电子迁移率 μ n 与空穴迁移率 μ p 之和。 半导体材料的光电导 g 为 （ 2-83 ） 将式（ 2-73 ）代入式（ 2-83 ）得到 （ 2-84 ） 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导与入射辐射通量 Φ e,λ 成线性关系。 对式（ 2-84 ）求导可得 由此可得半导体材料在弱辐射作用下的 光电导灵敏度 S g （ 2-85 ） 在弱辐射作用下的半导体材料的光电导灵敏度为与材 料性质有关的常数，与光电导材料两电极间的长度 l 的平方 成反比。 （ 2 ）在强辐射的作用下 ， Δ n n i ， Δ p p i ， 式（ 2-79 ） 可以简化为 利用初始条件 t = 0 时， Δ n = 0 ，解微分方程得 （ 2-86 ） 式中， 为强辐射作用下载流子的平均寿命。 在强辐射情况下，半导体材料的光电导与入射辐射通量 间的关系为 （ 2-87 ） 是抛物线关系。 对式（ 2-87 ）进行微分得 （ 2-88 ） 在强辐射作用的情况下半导体材料的光电导灵敏度不仅 与材料的性质有关，而且与入射辐射量有关，是非线性的。 ? 半导体的光电导灵敏度与入射辐射通量的关系为： 在弱辐射作用的情况下是线性的； 随着辐射的增强，线性关系变坏； 当辐射很强时，变为抛物线关系。 2. 光生伏特效应 光生伏特效应是把光能变成电能的一种效应。它是光照 使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开 而产生电位差的现象。 光生伏特效应 可分为 ? 由内建电厂的作用或势垒效应产生的光生伏特效应 ? 体积光生伏特效应 丹培（倍）效应 光磁电效应 图 2-13 半导体示 PN 结示意图 图 2-14 PN 结的能带结构 当设定内建电场的方向为电压与电流的正方向时，将 PN 结两端接入适当的负载电阻 R L ，若入射辐射通量为 Φ e,λ 的辐 射作用于 PN 结上，则有电流 I 流过负载电阻，并在负载电阻 R L 的两端产生压降 U ，流过负载电阻的电流应为 （ 2-89