JFET和MESFET的基本结构与工作原理演示幻灯片.pptVIP

Physics of Semiconductor Devices 结型场效应晶体管 金属 - 半导体效应晶体管 5.1 Physics of Semiconductor Devices 1 、 JFET 的基本结构与工作过程 2 、理想 JFET 的 I-V 特性 3 、 MESFET 的基本结构与工作过程 4 、 JFET 和 MESFET 的类型 5 、异质结 MESFET 和 HEMT Outline Physics of Semiconductor Devices 结型场效应晶体管又称为 PN 结场效应晶体管。 JFET 基 本上是一个电压控制的电阻，利用一个 PN 结作为栅极 去控制电阻，从而实现对两个欧姆结之间的电流控制。 其特点是只有多数载流子承担电流的输运，这种器件 是单极器件。 一 JFET 的基本结构与工作过程 Physics of Semiconductor Devices 重掺杂 P ＋ 层作为衬底。在 P ＋ 衬底上外延生长轻掺杂的 N 型层。 上边的重掺杂 P ＋ 层是通过向 N 型外延层中扩散硼形成的。器 件的有源区夹在两个 P ＋ 层之间的 N 型层；有源层也称为导电 沟道。上下两个 P ＋ 区不是被内连接就是被外连接以形成栅极 端。连接在沟道两端的欧姆接触分别称为源极端和漏极端， 通过它们流过沟道电流。源极发射载流子，漏端收集载流子。 1 、基本结构 ① 标准平面外延－扩散工艺 Physics of Semiconductor Devices 标准平面外延－扩散工艺 JFET Physics of Semiconductor Devices 该技术通过扩散形成沟道和上栅。由于沟道掺入的是施主杂 质，沟道电流由电子传输，这种器件称为 N 沟道 JFET 。若沟 道是受主原子掺杂而栅区为 N ＋ 型，则沟道电流是由空穴传输， 这种器件称为 P 沟道 JFET 。由于电子的迁移率比空穴的高， N 沟道 JFET 能提供更高的电导和更高的速度，因而，在大多数 应用中处于优先地位。 ② 双扩散工艺 Physics of Semiconductor Devices 双扩散工艺 JFET Physics of Semiconductor Devices 2 、工作过程 在 x= 0 处，栅 PN 结两边的电压为零，在 x=L 处，整个电压 V D 都加在 PN 结上。当电流从漏极沿沟道流向源极时，由于沟道 电阻的存在，会在整个沟道产生电位降。使得在漏端空间电 荷区向沟道内扩展得更深些。 （忽略接触电阻和体电阻） PN 结反偏 Physics of Semiconductor Devices 当电压 V D 增加时，沟道得狭口变得更窄，沟道电阻进一步增 大。随着漏端电压得增加，将会在 x=L 处的空间电荷区连通， 且在连通区域内的自由载流子全部耗尽，即发生沟道夹断。 沟道夹断 Physics of Semiconductor Devices 沟道夹断时的漏电压称为饱和漏电压 V DS 。夹断以后再继续 增加漏电压，夹断点将向源端移动，但由于夹断点电位保持 为 V P ，所以漏电流不会显著增加，因而电流处于饱和而沟道 电阻变得很大。 理想的漏极特性 夹断电压 Physics of Semiconductor Devices 3 、 JFET 的特点 ① 电流传输主要由一种多数载流子承担，不存在少数载流 子的贮存效应，有利于达到比较高的截止频率和快的开 关速度。 ② 是电压控制器件。其输入电阻比 BJT 高得多，因此其输入 端易于与标准微波系统匹配，在应用电路中易于实现级 间直接耦合。 ③ 由于是多子器件，因此抗辐射能力强。 ④ 与 BJT 及 MOS 工艺兼容，有利于集成。 Physics of Semiconductor Devices 二 理想 JFET 的 I-V 特性 ① 单边突变结。 ② 沟道内杂质分布均匀。 ③ 沟道内载流子迁移率为常数。 ④ 忽略有源区以外源、漏区以及接触上的电压降，于是沟 道长度为 L 。 ⑤ ⑤ 缓变沟道近似，即空间电荷区内电场沿 y 方向，而中 性沟道内的电场只有 x 分量。 ⑥ ⑥ 长沟道近似： L 2(2 a ) ，于是 W 沿着 L 改变很小，可看 作矩形沟道。 分析假设： Physics of Semiconductor Devices 二维的电场和载流子的分布 良好的欧姆接触 沟道内空间电荷区逐渐变化 Physics of Semiconductor Devices x 处耗尽层的宽度为： 沟道只有漂移电流，则： 电流流过的截面积为： 2( a – W )Z 式中： 没有任何耗尽层时的沟道电导 Physics of Semiconductor Devices 理论