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MEMS 麦克风 主要内容 ? 驻极体电容式麦克风 (ECM) ? MEMS 麦克风 ? ECM vs. MEMS 麦克风 ? MEMS 麦克风的发展前景 ECM 电容式麦克风工作原理 ? P ?? F ?? x ?? V 电容式麦克风的工作原理 Microphone vs. pressure sensor: ? Pressure sensor messure high(kPa) static pressure ? Microphones messure low(mPa)alternating pressure ? Nomal conversation(60dB):app. 20mPa alternating sound pressure ECM 的结构 驻极体麦克风由隔膜、驻极体、垫圈、外壳、背电极、 印制板、场效应管等 7 部分组成，其中最主要的部件为一片 单面涂有金属的驻极体薄膜与一个上面有若干小孔的金属电 极（即背电极）。其中驻极体面与背电极相对，中间有一个 极小的空气隙，它和驻极体构成了绝缘介质，而背电极和驻 极体上的金属层则构成一个平板电容器。 ECM 的工作原理 驻极体麦克风的工作原理是以人声通过空气引起驻极体 薄膜震膜震动而产生位移，从而使得背电极和驻极体上的金 属层这两个电极的距离产生变化，随之电容也改变，由于驻 极体上的电荷数始终保持恒定，由 Q=CU 可得出当 C 变化时将引 起电容器两端的电压 U 发生变化，从而输出电信号，实现声 - 电的变换。 ECM 的结构与原理 Typical Specification ? Sensitivity: -42 dBV/Pa ? SNR: 55-58 dB ? I OUT : 500 μA ? PSRR: 6 dB ? Z OUT : 2.2 kohm MEMS 麦克风 Microphone Technology Trends Towards MEMS 一、工作原理 MEMS 麦克风是通过微机电技术在半 导体上蚀刻压力感测膜片而制成的微 型麦克风，其工作原理与 ECM 麦克风完 全相同，工艺好比在单一硅晶片上制 作传统麦克风的各个零部件，所集成 的半导体元件有信号放大器、模数转 换器（ ADC ）和专用集成电路（ ASIC ）。 一、工作原理 新型麦克风内含两个晶片： MEMS 晶片 和 ASIC 晶片 ，两颗晶片被封装在一个表面 贴装器件中。 MEMS 晶片包括一个刚性穿孔 背电极（ fixed backplate ）和一片用作电 容器的弹性硅膜（ flexible membrane ）。 该弹性硅膜将声压转换为电容变化。 ASIC 晶片用于检测电容变化，并将其转换为电 信号，传送给相关处理器件，如基带处理 器或放大器等。 二、 Module Structure Microphone Construction ADI MEMS Microphone Die ADI MEMS Microphone Structure MEMS Microphone Structure 工艺步骤 从微机电麦克风的制造来看就目前的技术层面而言，集成 CMOS 电路的 MEMS 元件可分为三种。 Pre-CMOS MEMS 工艺：先 制作 MEMS 结构再制作 CMOS 元件； Intra-CMOS MEMS 工艺： CMOS 与 MEMS 元件工艺混合制造； Post-CMOS MEMS 工艺：先实 现 CMOS 元件，再进行 MEMS 结构制造。一般而言，前两种方法 无法在传统的晶圆厂进行，而 Post-CMOS MEMS 则可以在半导 体晶圆代工厂进行生产。 在 Post-CMOS MEMS 工艺中需特别注意，不能让额外的热 处理或高温工艺影响到 CMOS 组件的物理特性及 MEMS 的应力状 态，以免影响到振膜的初始应力。鑫创科技公司克服了诸多 的技术难题，完全采用标准的 CMOS 工艺来同时制造电路元件 及微机电麦克风结构。 工艺步骤 Post-CMOS MEMS 麦克风基本结构及工艺步骤 ADI MEMS Microphones Key Performance ? THD @ 115dBL 10% ? SNR 61dBA Typical ? PSRR: Analog 70dBV; Digital 80dBFS ? Frequency Response FLAT 100Hz to 15kHz,no resonant peak ? Shock Resistance 20k G-force ? 160dB sound pressure shock ? Power Consumption:Analog I DD 250μA;Digital I DD 650μA