晶体的电光效应讲解.ppt

? 纵向电光效应 ? 横向电光效应 ? 仍然以 KDP 为例，实验装置如下图所示 ? 晶体后存在相位差为 d 为晶体通光方向的厚度，所以产生的相位差与 所加电压成正比，与厚度 d 无关。当相位差为 π 时， 我们将所加电压称为此块晶体的半波电压 。 ? 晶体的半波电压及电光系数的测定值 ? 半波电压是晶体材料的一个十分重要的参数，通常 电光材料都存在一定的电压阈值，超过容易被击穿， 而且过高的半波电压对实验条件要求造成一定的难 度及危险性，所以寻找大的电光系数及低半波电压 的电光晶体材料已经成为一个研究热点。 ? 采用纵向电光效应有以下几点问题需要解决 （ 1 ）电极问题 （ 2 ）电光系数一般较小 ? 前面对非中心对称的晶体线性电光效应分析可知， 当外加电场方向与通光方向垂直，产生的相位差 除了受电场控制外还会受到自然双折射的影响。 晶体的自然双折射对温度有很高的敏感性，要实 现很严格的控温，精度在 0.005℃ ，这对实际条 件来说是非常困难的。但是对于中心对称的晶体 来说，可以从根本上避免这一问题。 ? 以顺电相 KLTN 晶体为例 第四组：姚 博 高瑞林 贾洁姝 杨成华 周文龙 毛祖金 ? 电光效应基本概念 ? 纵向电光效应及横向电光效应 ? 电光效应器件 ? 结论 ? 电光效应的概念 ? 线性电光效应 ? 二次电光效应 ? 电光效应是指材料在直流或低频交流电场作用下， 折射率发生明显改变的一种现象。 ? 电光晶体材料可用于制备多种可实现高速调谐的 光通信器件，比如电光调制器、光开关、波长转 换器和波导光栅等，被广泛的应用于激光通信、 激光测距、激光显示和光学数据处理等方面。 ? 分类： 按照外加电场下晶体材料的折射率变化分为两种： 1 、线性电光效应：非中心对称晶体中折射率的 变化与外加电场强度成线性关系。也叫做泡克尔 斯（ Pockels ）效应。 2 、二次电光效应：中心对称晶体中晶体折射率 变化与外加电场的平常成正比，也叫做克尔 （ Kerr ）效应。 ? 晶体在受到光照的同时，若也受到外电场（低频或 直流）的作用，其二级非线性极化强度为 (2) (2) (2) ( ) ( ) ( ) ( ) i i ijk j k P P E E ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? w 为光电场频率 ， Ω 为外加电场频率 Ωw 由于 所以 因为 为未加电场时的介电常数，上式说明在加上电场 后介电常数变化与外加电场成线性关系。 (1) (2) 0 0 ( ) [ ] E ? ? ? ? ? ? ? ? ? 折射率椭球的方法来分析晶体的电光效应 晶体的逆介电张量为 2 1 1 ij ij ij n ? ? ? ? 非磁性介质 折射率椭球可以表示为 展开 未加电场时，折射率椭球记作 ? 根据固体电子理论，当在晶体上加上电场后，将 导致晶体中束缚电荷的重新分布，且可能导致离 子晶体晶格的微小变形，其最终结果是逆介电张 量的改变。即施加电场时，折射率椭球将发生畸 变 ，记作 上式可以表示为 线性电光效应表示为 ij ijk k E ? ? ? ? 引入以下简化下标 ijk ? 分量数量由 27 个降到 18 个，线性电光系数表示为 m mk k E ? ? ? ? ? 矩阵形式为 ? KDP 晶体（ 42m 晶类）。单轴晶体，设其主轴为 X 3 轴，未加电场时候，折射率椭球为： 式中 查阅资料知 KDP 电光效应矩阵为 1 2 1 3 2 4 41 3 5 41 6 63 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 E E E ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 因此得到 加电场后光率体变为 可以见得，在外电场作用下， KDP 晶体由单轴晶体 变为双轴晶结构。 当只沿 X3 方向加电场时，折射率椭球为 经过坐标变化得新的椭球方程 0 2 0 2 0 2 1 63 3 1 1 63 3 2 3 3 ( ) ( ) 1 E x E x x ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?