光电子器件 第二章结型光电探测器课件.ppt

几种国产 2DU 型硅光电二极管的特性 2.4 其他类型的光生伏特器件 ? PIN 型光电二极管 为了提高 PN 结硅光电二极管的时间响应，消除在 PN 结外光生载流子的扩散运动 时间，常采用在 P 区与 N 区之间生成 I 型层，构成如图 3-6 （ a ）所示的 PIN 结构光电二极 管， PIN 结构的光电二极管与 PN 结型的光电二极管在外形上没有什么区别，都如图 3-6 （ b ）所示。 PIN 光电二极管在反向电压作用下， 耗尽区扩展到整个半导体，光生载流子只产 生漂移电流，因此， 它的时间响应只取决 于 τ 与 τ ，在 10 -9 s 左右。 dr ? d r RC P N I 导带 价带 信号光 PIN 光电二级管 P 型层很薄使光子很快进入 I 区 I 区电阻很大可加较高电压 高的电阻使暗电流明显减小， 这些产生的光生电子－ 空穴对将立刻被电场分离并 作快速漂移运动 I 区加入增大了耗尽层厚度 减小了结电容 CJ ，提高了量 子效率 漂移时间约为 相当于 f= １ KMHz 入射光照射在 P 层上，由于 P 层很薄，大量的光被较厚的 I 层 吸收，激发较多的载流子形成光 电流；又 PIN 结光电二极管比 PN 结 光电二极管施加较高的反偏置电压， 使其耗尽层加宽。当 P 型和 N 型半导 体结合后，在交界处形成电子和空 穴的浓度差别，因此， N 区的电子要 向 P 区扩散， P 区空穴向 N 区扩散。 P 区一边失去空穴，留下带负电的杂质离子， N 区一边失去电子，留下带正电的 杂质离子，在 PN 交界面形成空间电荷，即在交界处形成了很薄的空间电荷区，在该 区域中，多数载流子已扩散到对方而复合掉，即消耗尽了，耗尽层的电阻率很高。扩 散越强，耗尽层越宽， PN 结内电场越强，加速了光电子的定向运动，大大减小了漂 移时间，因而提高了响应速度。 PIN 结光电二极管仍然具有一般 PN 结光电二极管的线 性特性 图 7-28 PIN 光电二极管 偏压 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 输出端 P I N 最大特点： 频带宽，可达 10GHz 。另一个特点是，因为 I 层很 厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围 宽。由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会 使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度 变宽。 不足： I 层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微 安至数微安。目前有将 PIN 管与前置运算放大器集成在同一硅 片上并封装于一个管壳内的商品出售。 PIN 管 PIN 管是光电二极管中的一种。是在 P 型半导体和 N 型半 导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。 这样， PN 结的内电场就基本上全集中于 I 层中，从而使 PN 结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式 τ = C f R L 与 f = 1/2πτ 知， C f 小， τ 则小，频带将变宽。 因此，这种管子最大的特点是 频带宽 ，可达 10GHz 。另一个 特点是，因为 I 层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电 压， 线性输出范围宽 。 PIN 硅光电二极管 ? 由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使 耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度 变宽。 ? 所不足的是， I 层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为 零点几微安至数微安。 ? 目前有将 PIN 管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封 装于一个管壳内的商品出售。 PIN 光电二极管光电转换 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管是利用 PN 结在高反向电压下产生的雪崩 效应来工作的一种二极管。 这种管子工作电压很高，约 100 ～ 200V ，接近于反向击 穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中可得到 极大的加速，同时与晶格碰撞而产生电离雪崩反应。因此， 这种管子有很高的内增益，可达到几百。 雪崩二极管 当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达 10 6 ，即产生 所谓的自持雪崩。 这种管子响应速度特别快，带宽可达 100GHz ，是目前 响 应速度最快 的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。 由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工 作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的 噪声水平，以至无法使用。 雪崩光电二极管 PIN 光电二极管提高了 PN 结光电二极管的时间响应，但未能提高器件的光电灵 敏度，为了提高光电二极管的灵敏度，人们设计了雪崩光电二极管，使光电二极管的 光电灵敏度提高到需要的程度。 1. 结构 图 3-7 （ a ）所示为在 P 型硅基片上扩散杂质浓度大的 N + 层，制成 P 型 N 结构； 图 3-7 （ b ）所示为在 N 型硅基片上扩散杂质浓度