双极性三极管工作详解讲解学习.pdfVIP

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双 极 性 三 极 管 工 作 详 解 精品文档 三极管的共射特性曲线 三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线,它 们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了 管子的技术性能,是分析放大电路技术指标的重要依据。三极管特性曲线可在 晶体管图示仪上直观地显示出来,也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲 线。 三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线,下 面以 NPN型三极管为例,来讨论三极管共射电路的特性曲线。 1、输入特性曲线 输入特性曲线是描述三极管在管压降 UCE保持不变的前提下,基极电流 iB 和发射结压降 uBE之间的函数关系,即 (5-3 ) 三极管的输入特性曲线如图 5-6 所示。由图 5-6 可见 NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是: BE 虽己 大于零,但 i B 几乎仍为零,只有当 uBE 的值大于开启电压后, i B 的值与二极管一 样随 uBE 的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为 0.5V ,发射结导通 on 电压 V 约为 0.6 ~0.7V ;锗晶体管的开启电压约为 0.2V ,发射结导通电压约为 0.2 ~0.3V 。 CE=0V,UCE=0.5V 和 UCE=1V的情况。 当 UCE=0V 时,相当于集电极和发射极短路,即集电结和发射结并联,输入特性 曲线和 PN结的正向特性曲线相类似。当 UCE=1V,集电结已处在反向偏置,管子 工作在放大区,集电极收集基区扩散过来的电子,使在相同 uBE值的情况下,流 B CE CE 向基极的电流 i 减小,输入特性随着 U 的增大而右移。当 U 1V 以后,输入特 CE 性几乎与 U =1V 时的特性曲线重合,这是因为 Vcc>lV 后,集电极已将发射区 发射过来的电子几乎全部收集走,对基区电子与空穴的复合影响不大, i B 的改 变也不明显。 CE 必须大于 l 伏,所以,只要给出 UCE=1V 时的输入特性就可以 了。 2、输出特性曲线 输出特性曲线是描述三极管在输入电流 i B 保持不变的前提下,集电极电流 i C和管压降 uCE之间的函数关系,即 收集于网络,如有侵权请联系管理员删除 精品文档 (5-4 ) 三极管的输出特性曲线如图 5-7 所示。由图 5-7 可见,当 I B 改变时, i C 和 uCE 的关系是一组平行的曲线族,并有 截止、放大、饱和三个工作区。 (1)截 止区 I B=0 持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏,发 BE B 射结电压 u <0,也是处于反偏的状态。由于 i =0,在反向饱和电流可忽略的 前提下, i C= βi B 也等于 0,晶体管

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