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高纯铱化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 试验报告 （预审稿） 贵研铂业股份有限公司 2020年7月 高纯铱化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 前 言 高纯铱以其独特的物理化学性能被应用于高科技半导体材料制造、靶材制造、精密仪器制造等行业。准确测定其杂质元素含量对高纯铱产品制备过程控制和纯度判定具有十分重要的意义。 纯金属铱中杂质的测定方法有发射光谱法（AES）[1]、电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）[2,3]、辉光放电质谱法（ICP-MS）[4]等。产品标准GB/T 1422-2018铱粉，要求测定三个牌号SM-Ir99.9、SM-Ir99.95、SM-Ir99.99的16个杂质元素，测定方法其一采用《YS/T 364-2006 纯铱中杂质元素的发射光谱分析》，其二采用《附录A 电感耦合等离子体原子发射光谱法》。其中直流电弧发射光谱法需要用铱基体配制粉末标样，不但需要消耗大量的铱基体且铱基体制备方法困难，目前此方法已很少被使用。液体试样进样检测方法中，金属铱极难溶解，且受仪器检测限的限制，ICP-AES法满足不了高纯铱所需检测下限范围，ICP-MS法也要考虑溶样问题、以及基体浓度受限和复杂的干扰情况。辉光放电质谱法（GD-MS）是20世纪后期发展起来的一种重要无机质谱分析技术，作为目前被公认对固体材料直接进行痕量及超痕量元素分析最有效的分析手段之一[5-7]，GD-MS的应用主要在于高纯度材料的杂质元素分析，已成为国际上高纯金属材料、高纯合金材料、稀贵金属、溅射靶材等材料中杂质分析的重要方法。因此，制定高纯铱的辉光放电质谱法测定杂质元素含量标准分析方法很有必要。 GD-MS的方法原理是将高纯试样安装到仪器样品室中作为阴极进行辉光放电，其表面原子被惰性气体（例如：高纯氩气）在高压下产生的离子撞击发生溅射，溅射产生的原子被离子化后，离子束通过电场加速进入质谱仪进行测定。在每一待测元素选择的同位素质量处以预设的扫描点数和积分时间对应谱峰积分，所得面积为谱峰强度。根据强度比与浓度比的关系计算得到被测元素含量。 试验通过调节仪器参数，确定最佳工作条件，对基质元素及共存元素质谱干扰进行分析讨论，GD-MS 法测定了高纯铱中七十种杂质元素含量。其中含量在1×10-5%（0.1μg/g）以上的结果，其相对标准偏差（n=7）小于 20%，大多数元素分析检测限在0.001～0.005μg/g。 1 实验部分 1.1 主要仪器与试剂材料 ASTRUM辉光放电质谱仪（英国NU仪器公司）；高纯钽片或钽棒（ωTa≥99.99%）；高纯铟（ωIn≥99.99999%）；硝酸（优级纯）；盐酸（优级纯）；无水乙醇（优级纯）；超纯水（电阻率为18.25MΩ·cm）；高纯氩气（体积分数大于99.995%）；液氮（-170℃）。 1.2 仪器工作参数调节 按表1用钽对仪器测定条件进行调节，调放电气体流量Gas值，使放电电流I值达到设定值2.00mA，同时使放电电压U值在900～1100V之间，调离子提取电压、源电压等以使钽的有效离子强度信号达10-10A(电子计数值109cps)以上、同时分辨率达4000以上。测定电子倍增器与法拉第杯检测器离子计数效率ICE值必须大于75%。进行质量校正。测定铱样品时参照以上依次调节各参数，使铱的有效离子强度信号达到10-10A以上，分辨率达4000以上。 表1 辉光放电质谱仪主要工作参数 参数 数值 放电电流/mA 2.00 放电电压/V 900~1100 放电气体流速/(mL/min) 100~800 离子源正极电压/V 5999.90 离子提取电压/V 4400~4800 垂直方向源电压/V -100~+100 水平方向源电压/V -100~+100 电子倍增器电压/V 2000~3000 放电池温度/℃ -170 1.3 分析元素同位素选择及分辨率 分析元素同位素首选同位素丰度高、干扰少的。大多数元素质谱干扰可以在中分辨率4000的条件下分离。低温液氮冷却离子源型仪器，在-170℃放电池中可将气体杂质尽可能地冷却在池壁上，减少离子碰撞和电离的机会，将气体干扰降到最低。各测定元素同位素选择见表2。分辨率均在大于4000条件下测定。 表2. 测定元素及同位素 元素 名称 同位素 元素 名称 同位素 元素 名称 同位素 Li 锂 7 Se 硒 82 Eu 铕 151 Be 铍 9 Rb 铷 85 Gd 钆 158 B 硼 11 Sr 锶 88 Tb 铽 159 Na 钠 23 Y 钇 89 Dy 镝 164 Mg 镁 24 Zr 锆 90 Ho 钬 165 Al 铝 27 Nb 铌 93 Er 铒 166 Si 硅 28 Mo 钼 95 Tm 铥 169 P 磷 31 Ru 钌 10