场效应管[文字可编辑].pptVIP

5.3 结型场效应管 5.1 金属 - 氧化物 - 半导体场效应管 5.2 场效应管放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属 - 半导体场效应管 类比：与 BJT 放大电路 自学（归纳、比较） JFET 管，简单介绍 掌握场效应管的工作原理 注意与 BJT 的异同点 √ √ ? 5 场效应管放大电路 作业 复习思考题： 5.1.1 、 5.1.2. 、 5.2.1 、 5.3.2 、 5.3.3 习题： 5.2.9 、 5.3.8 5 场效应管放大电路 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出 回路电流的一种半导体器件，它仅靠半导体中的多数 载流子导电，又称 单极型晶体管 。按参与导电的载流 子来划分，它有电子作为载流子的 N 沟道 器件和空穴 作为载流子的 P 沟道 器件。 场效应管： 结型 N 沟道 P 沟道 MOS 型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 5.1 金属 - 氧化物 - 半导体场效应管 MOSFET 金属 - 氧化物 - 半导体场效应管 MOSFET ( Metal-Oxide- Semiconductor Field Effect Transistor) 是一种利用半导 体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏 极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻可达 10 10 ? ， 又称 绝缘栅型场效应管 ( Insulated-Gate FET) 。按 导电机理不同分为： 增强型 ： v GS =0 时，漏源之间没有导电沟道， 在 v DS 作用下无 i D 。 耗尽型 ： v GS =0 时，漏源之间有导电沟道， 在 v DS 作用下 i D 。 1. 结构和符号（以 N 沟道增强型为例） N 沟道增强型 MOSFET 结 构左右对称，是 在一块参 杂浓度较低的 P 型硅上 生成 一层很薄的 SiO 2 绝缘层， 然后用光刻工艺扩散两个 高掺杂的 N 型区，从 N 型区 引出电极 作为 D 和 S, 在 绝缘 层上镀一层金属铝并 引出 一个电极作为 G D(Drain): 漏极，相当 c G(Gate): 栅极，相当 b S(Source): 源极，相当 e B(Substrate): 衬底 2. 工作原理（以 N 沟道增强型为例） (a) v GS =0 时，漏源之间形成 两个背靠背的 PN 结，在 D 、 S 之间加上电压，不管 v DS 极 性如何，其中总有一个 PN 结反偏，所以不存在导电沟 道。 v GS =0 ， i D =0 v GS 必须大于 V T ，管子才能 工作。 （ 1 ）栅源电压 v GS 的控制作用 （ 1 ）栅源电压 V GS 的控制作用 （ b ）当栅源之间加有电压时， 若 0 ＜ v GS ＜ V T （或 V GS(th) 称 为开启电压 ) 时，在 Sio 2 介质 中产生一个垂直于半导体表面 的电场，排斥 P 区多子空穴而 吸引少子电子。 但由于电场 强度有限，吸引到绝缘层的少 子电子数量有限，不足以形成 沟道，将漏极和源极沟通，所 以不可能以形成漏极电流 i D 。 0 ＜ v GS ＜ V T ， i D =0 （ 1 ）栅源电压 v GS 的控制作用 (c) 进一步增加 v GS ， 当 v GS ＞ V T 时， 由于此时的栅源电压已经比较强， 栅极下方的 P 型半导体表层中聚集 较多的电子，将漏极和源极沟通， 形成沟道。如果此时 v DS 0 ，就可 以形成漏极电流 i D 。在栅极下方导 电沟道中的电子，因与 P 型区的载 流子空穴极性相反，故称为 反型 层 。随着 v GS 的继续增加， 反型层 变厚， i D 增加 v GS V T ? g 吸引电子 ? 反型层 ? 导电沟道 v GS ? ? 反型层变厚 ? v DS ? ? i D ? （ 2 ）漏源电压 v DS 对漏极电流 i D 的控制作用 （ a ）如果 v GS ＞ V T 且固定为某一值， v DS = v DG ＋ v GS = － v GD ＋ v GS v GD = v GS － v DS v DS 为 0 或较小时， v GD = v GS － v DS ≥ V T ， 即 v DS ≤ v GS － V T 沟道分布如图， 此时 v DS 基本均匀降落在沟道 中，沟道呈斜线分布。这时， i D 随 v DS 增大。 v DS ? ? i D ? （ 2 ）漏源电压 v DS 对漏极电流 i D 的控制作用 （ 2 ）漏源电压 v DS 对漏极电流 i D 的控制作用 （ b ）当 v DS 增加到使 v GD = V T 时，即 v DS ＝ v GS － V T