手机设计总体布局.pdf

手機結構設計之總體布局 总体布局 1. 创建 2D 效果图。 所有外观线条尽量顺畅， 2D 要正确，不能出现与 3D 可能矛盾的作品。此项工作由 ID 完成。设计时 需要以 PCB LAYOUT 为参照，尽量将使手机的外轮廓线包住 pcb 的外轮廓，并要保留一定的间隙。 2. 绘制手机轮廓线。 首先将 ID 的 2D 效果图贴图至 pro/e 中，根据 PCB 的最大外轮廓，进行比例及位置的调整。在高度 方面，要考虑较高元件有足够的空间，如 Receiver 、Microphone 、Speaker 、Phone jack ，camera 等，确保装配空间足够，间隙合理。画出“危险”截面图，保证扣位空间及位置正确。根据贴图绘制手机 的主轮廓线及侧面轮廓线。 如果 2D 效果图 的轮廓线不能放置部分元件， 可以适当调整 PCB 上元件如 LCD 、 Shielding 、Receiver 、Buzzer 、 Microphone 和电池有足够的空间。在预留空间时要考虑 Speak 和 Receiver 的音腔和出声通道。 3. 确定 Parting Line 。首先创建 Parting surface ，然后将轮廓线投影至 parting surface 上生成 parting line 。 Parting Line 在高度方向的位置要尽可能与 PCB 板相错位或远离 PCB ，以得到较好的 ESD 性能。另 外还要注意 P/L 与侧键在高度上的关系，一般是 P/L 线平分手机上的 Side Key 孔或位于 side key 空的 一侧。 4. 确定转轴的位置。 转轴的位置一般受 ID 的影响比较大，需依照 ID 的效果图确定大概位置。在结构上，转轴必须保证足 够的径向空间。轴的壁厚一般不小于 1.2MM ，转轴壁与 housing front 的间隙一般为 0.3MM 。housing front 在轴处的壁尽量不要因为轴的位置偏低而透空。所以轴心的高度应高于 PCB 板在轴区域最高元件 2.2MM( 最高元件处 housing front 的壁厚透至 0.6MM) 。 此外，在进行结构设计时，需要设计轴的预压角度。 FLIP 合上时 ,要有大约 15-20 度预压；张开时， 大约 5-10 度预压。 1 全参数测试 Full Parametric Test 25 ℃±5 ℃, 60% ±15%RH (room ambient) ，功能、外观及参 数测试全通过 2 高温操作测试 High Temperature Operation +55 ℃,2h, 开机状态 3 低温操作测试 Low Temperature Operation -25 ℃， 2h, 开机状态 4 热冲击测试 Thermal Shock Test 冷热冲击是在 15 秒内，实现– 40 ℃ 和+85 ℃的瞬间转换。且在 每个温度停留 30 分钟，重复转换 30 次. 5 温度循环测试 Temperature Cycle Test 25 ℃±5 ℃ , 60% ±15%RH ，1h → +70 ℃，25%RH,1h → +40 ℃， 90%RH,1h → -30 ℃, 1h → 25 ℃±5 ℃, 60% ±15%RH; 27 循环，关机状态 6 静电放电测试 ESD Test 直接放电电压 ( ±4V) ，空气放电电压 ( ±8KV) 7 高温高湿存贮测试 High Temp. Humid. Storage 裸机，关机， 65 ℃，90%RH ，持续 48 小时 8 低温存贮测试