硅中氧主要来源于熔融硅与石英坩埚反应因此直拉硅单晶比区熔硅.pptVIP

外的定义 外延( epitaxy):是在单晶衬底上新生一层单晶膜的技术 新生单晶层按衬底晶向延伸生长,即称此为外延层。 长了外延层的衬底称为外延片 外延技术具有生成的晶体结构良好、掺入的茶质浓 度易控制、可形成接近突变pn结的特点。 外延 pReXy Layer 寸底 Substrate 底 Substrate 外延前 外延后 外延的分类 按制备方法分 按反应室分类 按材料异同分 按外延温度分 按反应压力分 按掺杂浓度和导电类型分 按外延厚度和结构分 按外延生长方法 按气相外延(VPE) 制 液相外延(LPE) 万·相外延(SPE) 分分子束外延(MHBE 金属有机物化学气相淀积( MOCVD) 气相外延(vPE 利用硅的气态化合物或者液态化合物的蒸气,在加热 的硅衬底表面与氢发生反应或自身发生分解反应还原 出硅。 对硅而言,广泛釆用气相外延,因为它易于控制掺杂 浓度,并获得完美的晶体结构。 汽相外延方式常用来生长S外延材料、GaAs外延材料等 液相外延 将元素的饱和液相溶液与衬底晶体直接接触, 处于熔点温度下缓慢降温而析出固相,沿衬 底向上逐步转化为外延层。 液相外延主要用于生长制造光电器件所需的 化合物外延功能薄层材料 固相外延(SPE) 在离子注入所形成的无定形层的退火过程中形成再结 层 分子束外延MBE) 在超高真空条件下,利用薄膜组分元素受热蒸发所形 成的原子或分子束,以很高的速度直接射到衬底表面 并在其上形成外延层的技术。 其特点是生长时衬底温度低,外延膜的组分、掺杂浓度 以及分布可以实现原子级的精确控制。 广泛地用于获得超薄层异质结外延功能材料, 特别是微电子器件所需的各种异质结外延材料。 金属有机化合物化学汽相沉淀( MOCVD)方式 是采用处于液相状态的金属(Ⅱ、Ⅲ族)有机 化合物同汽态的氢化物(V、Ⅵ族)作为沉积 源原材料,以热分解反应的方式在衬底沉积、 淀积形成外延薄层的一种方法。 MOCVD方式可以获得Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物晶层及它们的 多元超薄单晶层