重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究应用.docVIP

本文由电话里哭泣贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。提议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第十届全国抗辐射电子学和电磁脉冲学术年会论文集 重掺杂多晶硅栅功率 段 雪 !?#? 邓建国河北 辐射效应研究 孙艳玲 石 童四华 刘英冲 田秀伟 冯 彬 %中国电子科技集团企业第十三研究所 家庄 (??) 摘 验研究 , 要从 开展了差别工艺制作重掺杂多晶硅栅 沟增强型功率 + !?#? 电离辐照效应实 型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构改变角度分析解释了辐照试验中出现 , 问值电压正漂和负漂两种差别趋势辐射效应 + 提出了利用改变重掺杂多晶硅晶粒结构抑制功率 , !?#?问值电压漂移这种电离辐射效应加固思绪 关锐词 重掺杂多晶硅 + !? # 电离辐射 问值电压 功率 + !??# , 广泛应用于开关电源 , 、 汽车电子 , 、 电机调速 、 不间断电源 、 逆变器等领域 , 为了减小输入电容 。 提升器件开关速度 , 降低开关损耗 普遍采取以重掺杂多晶硅作栅电极硅栅 , 自对准工艺通常情况下重掺杂多晶硅被简化为单晶硅电极或金属电极考虑其对功率+ 性能影响常常忽略不计 晶晶粒组成 ,。 !??# 而实际上 , , 多晶硅和单晶硅在结构上有较大区分 , 。 多晶硅是由差别单 , 各单晶晶粒晶向差别形状也不规则 , 同一晶粒内部原子排列呈周期型和有序性 , 晶 粒间结构复杂杂化 。 存在缺点在禁带中引入深能级 , , 成为载流子陷阱 使晶粒间能带拖尾状态愈加复 , 多晶导电性能由晶粒导电和晶粒间导电两部分综合效果决定 , 和温度和掺杂浓度有较大关 、 系 。 国外文件借助能带理论 #)采取离子场致发射散射模型%?.和以跃迁 , 扩散方法导电导通沟 道模型研究了多晶硅电阻率和温度和掺杂浓度关系川 2 /0更多研究关注在含有薄栅氧化层%?1一 。 3 )多晶硅4二氧化硅硅结构 5. 87电容中重掺杂多晶硅量子效应影响6 对于栅氧化层相对较 厚%常在几十 :9 , 以上)开态工作时栅压较高%;?左右)功率6 所以研究报道相对较少 。 +? 5.??# , 通常认为重掺杂多晶硅 影响能够忽略辐射效应 , 功率 + !??# 在电离辐照下常会发生闽值电压漂移 , 8国内研究者9在经过栅介质加固来抑制这种辐射效应方面开展过深入研究 。 取得了比 较明显效果 不过 , 对于工作在电离辐射环境下重掺杂多晶硅对功率 。 + ! #??阐值电压漂移 辐射效应有何影响对这方面研究国内外还少有文件报道本文经过对比采取差别工艺制作重掺杂多晶硅栅 况 , , + !??# , 在电离辐射下阂值电压改变情 。 研究重掺杂多晶硅对功率+ !?#? 电离辐射效应影响 探索其理论机理 试验过程 (( , 功率+!?#?样=制备 采取 衬底 型Α , (Β 晶向硅外延片制作重掺杂多晶硅栅功率+ + !?#?器件样品 。 栅结构 为多晶硅4栅介质4硅 / , ΧΔ Ε.Φ / 热分解淀积多晶硅 , , 淀积温度27 ℃Γ /2 ℃ , 多晶硅淀积厚度 。 人Η7℃一Η?℃扩磷掺杂多晶硅 (掺杂后多晶硅薄层电阻典型值为7侧口 试验采取两种 磁第十届全国抗辐射电子学和电脉冲学术年会论文集 差别工艺步骤伽介质制备工艺相同)作重掺杂多晶硅栅功率制下 Ι + 5.?#? 样品具体工艺区分如 , 翻翻尸洲气 多晶硅栅介质 %Χ)= Δ+ 多晶硅 伪栅区形成)图 6 %)(℃形成沟道区试验组 6工艺步骤 %扩磷形成?型重掺杂栅电极)Κ %ΧΔ?+多晶硅)= %扩磷重掺杂多晶硅)Λ %栅区形成)? Κ%)((℃形成沟道区 图7 试验组7工艺步骤 。 试验组 ( , 先形成沟道区 , , 再进行多晶硅掺杂制备栅电极 , 试验组7 (7 , 先形成重掺杂多晶硅电极 再形成沟道有源区 , 电离辐射试验以叱。为辐射源对上述两种差别工艺制作多晶硅栅功率?+ 5!#?? 进行动态电离总剂里辐 Ι 射试验 , Κ?)辐射剂量Γ七=%( 。 , 剂量率 (? Κ=Μ 冲%( Ι , 辐照过程中器件样品加偏置?5 . . Ν(?7 , 几 7 . Ν + !?#? 样品阂值电压测试条件为?5 Ν 5? ., .?9 二((66Ο 。 试验结果 两种工艺制作功率 + !?#? 样品经电离辐射阐值电压 , 几均发生了改变 , 但改变趋势有所 差别 , 试验组 ( 样品闷值电压发生连续正向漂移 ( 而试验组7样品闽值电压发生连续负向 + 漂移具体试验结果列于表 , 中 , 图为两组试验样品电离辐射效应和国外功率 !?#? 电离 辐射效应趋势对比情况 △ 。 。 %) 试验组 6 样品 卜下 ( 卜 ( 国外产品 试验组7样品 ( 3 6 七目%() 图 和国外产品辐照试验结果对比 重掺