半导体掺杂简介.pdfVIP

第十一章 掺杂 概述 导电区和 N-P 结是晶圆内部或表面形成的半导体器件的基本组成部分。 他们是通过扩散 或离子注入技术在晶圆中形成的。 本章将具体介绍 N-P 结的定义， 扩散与离子注入的原 理及工艺。 目的 完成本章后您将能够： 1. 定义 P-N 结。 2. 画出完整的扩散工艺流程图。 3. 描述淀积步骤与推进步骤的不同。 4. 列举三种类型的淀积源。 5. 画出淀积和推进工艺的典型杂质浓度与深度位置的关系曲线。 6. 列举离子注入机的主要部件。 7. 描述离子注入的原理。 8. 比较扩散与离子注入工艺的优势劣势。 结的定义 使晶体管和二极管工作的结构就是 N-P 结。结 （junction ）就是富含带负电的电子的区 域（ N 型区）与富含空穴的区域（ P 型区）的分界处。结的具体位置就是电子浓度与空 穴浓度相同的地方。这个概念在扩散结的形成章节中已作过解释。 在 半 导 体 表 面 形 成 结 的 通 常 做 法 是 热 扩 散 （diffusion ） 或 离 子 注 入 （ion implantation ）。 掺杂区的形成 扩散的概念 扩散掺杂工艺的发展是半导体生产的一大进步。 扩散，一种材料通过另一种材料的运动， 是一种自然的化学过程，在现实生活中有很多例子。扩散的发生需要两个必要的条件。 第一，一种材料的浓度必需高于另外一种。 第二，系统内部必须有足够的能量使高浓度 的材料进入或通过另一种材料。扩散的原理被用来将 N-型或 P-型杂质引进到半导体表 层深部。然而，小尺寸器件的要求使业界转而采用离子注入作为主要的掺杂技术。 但是， 一旦杂质进入晶圆的表面， 后续的高温过程都会使它继续移动。 扩散定律决定了后续的 移动。 气相扩散的一个例子就是常见的充压的喷雾罐（图 11.1 ），比如房间除臭剂。按下 喷嘴时，带有压力的物质离开罐子进入到附近的空气中。 此后，扩散过程使得气体移动 分布到整个房间。 这种移动在喷嘴被按开时开始， 并且在喷嘴关闭后还会继续。 只要前 精选文档 面的喷雾引入的浓度高于空气中的浓度， 这种扩散过程就会一直继续。 随着物质远离喷 雾罐，物质的浓度会逐渐降低。 这是扩散过程的一个特性。 扩散会一直继续， 直到整个 房间的浓度均一为止。 图 11.1 扩散的实例 一滴墨水滴入一杯水中时， 展现的就是液态扩散的例子。 墨水的浓度高于周边水的 浓度，于是立即向杯中的水中扩散。 扩散过程会一直继续直到整杯水有相同的颜色为止。 这个例子还可以用来说明能量对扩散过程的影响。 如果杯中的水被加热 （给予水更多的 能量），墨水会更快地扩散到杯中。当掺杂过的晶圆暴露接触一定浓度的相反类型的杂 质原子时，会发生相同的扩散现象。 掺杂区和结的扩散形成 扩散工艺掺杂后的晶圆中杂质的检查， 显示了掺杂区和结的形成。 初始时的情况显示在 图 11.2 中。显示的晶圆来自 P-型晶体。 图中的 “+”符号代表单晶生长过程中引进的 P 型杂质。它们均匀地分布在整片晶圆中。 晶圆经过热氧化及图形工艺后， 氧化层的上面会留出个空洞。 扩散炉管里， 晶圆在 高温条件下暴露于一定浓度的 N-型杂质