肖特基二极管概论.pptVIP

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  • 2020-09-10 发布于福建
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鲁 肖特基二极管之特性 D济南鲁是半导体有限公司 目录 □■,肖特基二极管的定义 ■二.肖特基二极管的主要参数 三.肖特基二极管的优点和缺点 ■四.肖特基二极管的命名规则 ■五.肖特基二极管的封装类型 ■六.肖特基二极管之光伏专用 鲁 肖特基二极管定义 ■肖特基二极管是以其发明人肖特基博士( Schottky)命 名的是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器 件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导 通压降低仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培, 能作开关二极管和低压大电流整流二极管使用,这些优 良特性是快恢复二极管所无法比拟的。 完整的叫法是:肖特基整流二极管( Schottky rectifier Diode)缩写成SR; 也有叫做肖特基势垒二极管( Schottky barrier diode,缩写 成SBD)的简称。 鲁 二.肖特基二极管主要参数 ■IF(IO):正向电流(A) VRRM(VBR):反向耐压/反向击穿电压() ■ISM:峰值瞬态浪涌电流(A ■IF:测试电流(A ■VF:正向压降 ■I:反向漏电流(UA) ■TRR:反向快恢复时间(NS) ■T:工作结温(C) ■TSTG:储存温度(C) 鲁 三.肖特基二极管优缺点 ■优点 1.肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通 门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V); 2.肖特基是一种多数载流子导电器件,不存在少数载 流子寿命和反向恢复问题。肖特基的反向恢复时间只是 肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于N结二极 管的反向恢复时间。由于肖特基的反向恢复电荷非常少, 故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高 频应用。 鲁 三.肖特基二极管优缺点 ■缺点 肖特基最大的缺点是反向耐压偏低及反向漏电流偏大, 其反向偏压额定耐压最高只到50V,而反向漏电流值为 正温度特性,容易随着温度升高而积聚变大,应用设计 上需注意其热失控的风险存在;为了避免上述的问题, 肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小 很多,不过肖特基二极管的技术也已有了进步,其反向 偏压的额定值最大可以到200V.当然使用新型材料制作的 超过1KV的肖特基也已经研制成功。 鲁 四.肖特基二极管命名 ■肖特基整流二极管 肖特基: Schottky 整流: Rectifier SR:即为肖特基整流二极管 Schottky rectifier diode:肖特基整流二极管,简称:SR, 比如:SR160,SR10100CT 鲁 四.肖特基二极管命名 ■肖特基势垒二极管 肖特基: Schottky 势垒: Barrier SB:即为肖特基势垒二极管 Sc- hotty Barrier Diode:肖特基势垒二极管,简称:SB, 比如:SB1100,SB1045CT 鲁 四.肖特基二极管命名之MBR系列 ■为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名? 因为最早是著名半导体公司一摩托罗拉半导体命名的产品型号 M:是以最早 MOTOROLA的命名,取M B: Bridge桥; Barrier:势垒 R: Rectifier,整流器¨MBR″意为整流器件 Schottky Rectifier Diode:肖特基整流二极管 鲁 四.肖特基二极管命名之MBR系列 例如:MBR10200CT/MBR1020OFT C:表示TO-220AB半塑封装;F:表示IO-220AB全塑封装 T:表示管装封装中AB表示三只脚,AC表示两只脚 MBR6045PT,其中的“P”:表示TO-3P封装 TO-220AB TO-220AB TO-220AC TO-220AC (To220F)

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