薄膜制备化学方法.pptVIP

华北电力大学研究生课程 薄膜技术与薄膜材料 谭占鳌 可再生能源学院 第2章薄膜制备的化学方法 第1节热生长 ■第2节化学气相沉积 第3节溶液镀膜抟术 化学方法的特点 不同于物理气相沉积,薄膜制备的化学方法需要一定 的化学反应,这种化学反应可以由热效应引起或者由 离子的电致分离引起。在化学气相沉积和热生长过程 中,化学反应是靠热效应来实现,而在电镀和阳极氧 化沉积过程中则是靠离子的电致分离实现。 ■与物理气相沉积相比,尽管化学反应中的沉积过程控 制较为复杂,也较为困难,但薄膜沉积的化学方法所 使用的设备一般较为简单,价格也较为便宜 第1节热生长 在充气条件下,大量的氧化物、氮化物和碳化 物薄膜可以通过加热基片的方式获得。 由热生长制备薄膜不是一种常用技术,但热生 长金属和半导体氧化物的研究则较为广泛,这 是由于氧化物可以钝化表面,而氧化物的绝缘 性质在电子器件中非常有用。 这一节将简要讨论热氧化。 由B,备Bi,O 图2-1在空气和超热水蒸气下,薄Bi膜氧化实验装置示意图 1一热电偶;2一窄玻璃管;3加热线圈;1-玻缡; 5一样品,6一气口;7一盖;8进气口 第2节化学气相沉积 化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition,CVD 是制备各种薄膜材料的一种重要和普遍使用技术: 利用这一技术可以在各种基片上制备元素及化合 物薄膜 化学气相沉积的优点 1.可以准确的控制薄膜组分及掺杂水平使其组分具有 理想化学配比 2.可在复杂形状的基片上沉积成膜 3由于许多反应可以在大气压下进行,系统不需要昂 贵的真空设备 4化学气相沉积的高沉积温度会大幅改善晶体的结晶 完整性 5可以利用某些材料在熔点或蒸发时分解的特点而得 到其他方法无法得到的材料 6沉积过程可以在大尺寸基片或多基片上进行。 化学气相沉积的缺点 1化学反应需要高温 2反应气体会与基片或设备发生化学反应 3化学气相沉积中所使用的设备较为复杂,且 有许多变量需要控制 般的化学气相沉积反应 在化学气相沉积中,气体与气体在包含基片的真空室 中相混合。在适当的温度下,气体发生化学反应将反 应物沉积在基片表面最终形成固态膜。 在所有化学气相沉积过程中发生的化学反应是非常重 要的。 在薄膜沉积过程中可控制的变量有气体流量、气体组 分、沉积温度、气压、真空室几何构型等。 因此,用于制备薄膜的化学气相沉积涉及三个基本过 程:反应物的输运过程,化学反应过程,去除反应副 产品过程。 化学气相沉积反应器 化学气相沉积反应器的设计可分为常压和低压式、热壁 式和冷壁式。 低压式反应器已得到迅猛发展; 常歴式反宓器垤行的缺点是需要大流量携载气体、大尺 设备,得到的膜污染程度高。 而低压化学气相沉积系统可以除去携载气体并在低压下 只使用少量反应气体,此时气体从一端注入,在另一端 用真空泵排出。 度反篷斧处:酯乌与熟露嵛胬等蠶柔」 在冷壁反应器中,只有基片需要达到化学反应所需的温 度,也就是加热区域只局限于基片或基片架