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[ 试题 ] 半导体器件物理复习题 (1) 简要说明 :?p-n 结的势垒高度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样 , 为什 么,?p-n结的势垒宽度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样 ，为什么,*(2)对于理想 p-n结:？示意画出少数载流子的浓度分布。？如果p-n结两边的掺杂浓度 分别为NA和ND少数载流子的扩散长度分别为 Ln和Lp,试简单导出该p-n 结的电流 - 电压关系(伏安特性) 。 ?简要说明:为什么正向电流与电压有指数函数关系 ,为 什么 反向电流与电压无关 , 对于实际的 Si/p-n 结:?正向电流和反向电流分别主要包含哪些不同性质的 电流分量 , ?正向电流与温度和掺杂浓度的关系分别怎样 ,?反向电流与温度和掺杂浓度的 关系 分别怎样 ,?正向电压与温度和掺杂浓度的关系分别怎样 , 对于金属与半导体 Si 的接触:?在什么情况下将得到 Schottky 势垒,?在什 么情况下 将得到欧姆接触,?为什么BJT的集电极处需要进行一次高浓度掺杂,?为什么一 般 FET的源极和漏极需要采用高掺杂的p-n结，(5)对于Schottky二极管:?简单 比较其伏安特性与 p-n 结二极管的异同 ;?简要说明: 为什么Schottky二极管具有很好的高速性能,?简要说明：为什么Schottky二 极管可 以用来“箝位” ,? 为什么采用金属针尖与半导体接触，可以向半导体中注入少 数载流 子, ⑹ 对于一般的BJT:?器件工作的电流主要是什么性质的电流,(少子电流，多子 电流, 漂移电流,扩散电流,)?原则上应该从哪些方面考虑来提高 BJT的电流放大系 数, ?采用两个独立的 p-n 结二极管背靠背连接起来，是否可以构成一个 BJT, *(7)对于处于放大状态的npn-BJT，已知的基区宽度为W基区的掺杂浓度为 ND若发 射结上加的正向电压为 VF3kT/q，集电结上加的反向电压为 VR试简单导出 集电极电 流的近似表示式。 对于一般BJT:?为什么发射区一定要高掺杂,?发射区的过分高掺杂又会带来 什么 不良后果,?现在可以如何从根本上来解决发射区过分高掺杂所带来的不良影响 对于高频BJT:?为什么发射结和集电极的结深一定都要“浅” ，？ “浅 结” (特别是 浅发射结 )所带来的主要问题是什么 ,?可以如何适当地解决这种“浅结”问题 对于一般的BJT:?在基区中示意画出分别对应于ICEO和ICB0的非平衡少 数载流子 浓度的分布。？为什么ICEO要比ICBO近似大B倍,?为什么共发射极接法的击 穿电压 (BVCEo)要低于共基极接法的击穿电压(BVCBo),?为什么共基极接法的频率特性 要优越于共发射极接法 , *(11)对于BJT,若观测到其输出伏安特性曲线如图所示。试简要说明 ：？该BJT 的性能 存在哪些方面的问题 ,?在 IB 很小时的各条曲线排列得很紧密,其原因何在 ,? 在 IB 很大时的各条曲线也排列得很紧密，其原因何在 ,(12)对于BJT:?为什么具有 饱和(电流饱和)型的输出伏安特性 ,?为什么实际的输出 伏安特性往往不饱和(即Early电压VA??),这种输出伏安特性的不饱和性对器 件 的应用性能主要有什么影响,?为什么(BX VA)可以作为BJT的高频性能指标, 对于BJT,简单说明:?为什么BJT的发射极图形往往采用细长的指条形，？ 是否 指条的长度越长越好 , 宽度越小越好 ,?为什么不能把许多管芯直接并联起来以 增大 电流, 简单说明:?当温度升高时，为什么BJT的正向压降会降低、而正向电流IC 会增大, ?当温度升高时，为什么BJT的反向漏电流(ICBO)会增大,？为什么BJT的电流 放大 系数一般会随着温度的升高而有所增大 , *(15)对于高频BJT,简单说明:?各个频率特性参数fT、f B、f a和fm的意 义。 ? fT 、 f B、f a和fm的大小大致如何,?特征频率fT与IC的关系如何，？在设计高频 BJT 时, 需要考虑的主要问题是什么 , (16)对于低噪声BJT,简单说明：？噪声的主要来源有哪些,?降低噪声的主要措 施有哪 些,?为了降低噪声，为什么往往需要提高 fT, *(17)对于高速BJT,简单说明:? 影响开关速度的主要因素有哪些 ,?为什么掺入 Au 等复合中心杂质后，可以显著提高开关速度 ,?为什么采用 Schottky 二极管来 箝制集 电结的电位后，可以提高开关速度,?为什么高频BJT与高速BJT往往不能互相 调换 使用, (18)对于BJT，简单说明:?为什么往往需要采用外延片来制作器件,?在双极型 IC 中， 为什么在每个器件的下面都需要加设埋层,(19)对于功率BJT，简单说明:?为 了增大工作电流，为什么不能简单地增大发射结面 rk 效应,?为了提高工作