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IGBT 模块参数详解一 -IGBT 静态参数 VCES ：集电极 - 发射极阻断电压 在可使用的结温范围内栅极 - 发射极短路状态下， 允许的断态集电极 - 发射极最高电压。 手册 里 VCES 是规定在 25 °C 结温条件下，随着结温的降低 VCES 也会有所降低。降低幅度与温 度变化的关系可由下式近似描述： .模块及芯片级的 VCES 对应安全工 作区由下图所示：文章来源： /jc/19.html Collector-emitter voltage of the IGBT 由于模块内部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为 ，由于内部 及外部杂散电感， VCES 在 IGBT 关断的时候最容易被超过。 VCES 在任何条件下都不允许 超出，否则 IGBT 就有可能被击穿。 Ptot ：最大允许功耗 在 Tc=25 °C 条件下，每个 IGBT 开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的 最大耗散功率。 Ptot 可由下面公式获得： 。 Maximum rating for Ptot 二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得。 IC nom ：集电极直流电流 在可使用的结温范围内流过集电极 - 发射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可 以由 Ptot 的公式计算最大允许集电极电流。因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定 对应的结和外壳的温度， 如下图所示。 请注意， 没有规定温度条件下的额定电流是没有意义 的。 Specified as data code: FF450R17ME3 在上式中 Ic 及 VCEsat @ Ic 都是未知量， 不过可以在一些迭代中获得。 考虑到器件的容差， 为了计算集电极额定直流电流，可以用 VCEsat 的最大值计算。 计算结果一般会高于手册值， 所有该参数的值均为整数。 该参数仅仅代表 IGBT 的直流行为， 可作为选择 IGBT 的参考，但不能作为一个衡量标准。 ICRM ：可重复的集电极峰值电流 最大允许的集电极峰值电流（ Tj ≤150 °C ），IGBT 在短时间内可以超过额定电流。手册里定 义为规定的脉冲条件下可重复集电极峰值电流， 如下图所示。 理论上， 如果定义了过电流持 续时间，该值可由允许耗散功耗及瞬时热阻 Zth 计算获得。然而这个理论值并没有考虑到 绑定线、母排、电气连接器的限制。因此，数据手册的值相比较理论计算值很低，但是，它 是综合考虑功率模块的实际限制规定的安全工作区。 RBSOA ：反偏安全工作区 该参数描述了功率模块的 IGBT 在关断时的安全工作条件。 如果工作期间允许的最大结温不 被超过， IGBT 芯片在规定的阻断电压下可驱使两倍的额定电流。由于模块内部杂散电感， 模块安全工作区被限定，如下图所示。随着交换电流的增加，允许的集电极 - 发射极电压需 要降额。此外，电压的降额很大程度上依赖于系统的相关参数，诸如 DC-Link 的杂散电感 以及开关转换过程换流速度。对于该安全工作区，假定采用理想的 DC-Link 电容器，换流 速度为规定的栅极电阻及栅极驱动电压条件下获得。 Reverse bias safe operating area Isc ：短路电流 短路电流为典型值，在应