微电流的铯离子源设计.pdfVIP

摘要 摘 要 离子源自身研究的复杂性和应用区域的多样性，使得离子源的研究一直持续 受到人们的关注，不同的设计要求和应用对象都导致离子源技术的不断进步。铯 离子源作为较中性源常在研制光电发射体时作为必要元件而使用，铯离子对主族 元素进行二次离子检测时能提升其检测极限，低能量的离子束在金属刻蚀，溅射 镀膜等方面都有着重要应用。 本文对铯离子源进行了研究，主要工作如下： （）设计了能产生1 pA-nA量级微电流的铯离子源，铯离子的产生方式为铯原 子扩散至钼表面，在一定温度下发生表面电离效应。测量了不同温度下，铯离子 电流随电压的变化曲线，计算出铯源的逸出功eφ为：3.6581eV。 2 OPERA3D （）为了能够得到稳定的铯离子束流，本文运用了 软件，对离子 枪进行了设计、仿真及分析。本文中设计的离子枪由上述铯离子源，再结合栅极、 聚焦系统和收集极四部分组成。本文采用了单电位透镜的聚焦结构，具体由两端 聚焦极和中央聚焦极三个电极组成。通过调整各个电极之间的相对位置、电位大 小、孔径半径，能够观测到离子束斑有很明显的尺寸变化。模拟结果表明：栅极 电位值为-300V，两端聚焦极电位为-4000V，中央聚焦电极的孔径半径为27mm， 间隔距离为9mm，电位值为-300V，收集极电位为-40000时，仿真模拟得到，离 子束斑最小半径为0.91mm，对应离子束流电流大小为26.3nA。 （3）参照仿真软件中各个电极的结构参数和电位值，将模拟结果做成实际的 电极零件，表面清洁和热处理后运用测试系统测量了实际离子枪系统的性能，得 到铯源加热电源电压与离子束电流的变化曲线，再利用离子枪刻蚀硅片测量离子 束斑的形状和大小，与仿真出来的结果进行比较和分析。 关键词：铯离子源，静电聚焦，离子枪 I ABSTRACT ABSTRACT Due to the complexity ofthe study of ion source and the diversity of application areas, the study of ion source has been attracting peoples attention. Different design requirements and applicationobjectshave ledto the continuousprogress ofion source technology. Cesium ion source, as a relatively neutral source, is often used as a necessary element in the development of photoemitters. Cesium ion can improve the detectionlimitinthe secondaryiondetectionofmain group elements.Low-energy ion beamhasimportantapplicationsinmetaletching,sputteringcoatingandotheraspects. Inthispaper,cesiumionsourceisstudied,themainworkisasfollows: (1) a cesium ion source capable of producing a microcurrent of PA level was designed.Thegenerationofcesiumionwas achievedbythe diffusionofcesiumatoms to the surface of molybdenum, and the surface ionization effect occurred at a certain temp