WAT基本工艺参数测试.docVIP

毕业设计论文 WAT工艺参数测试 系 电子信息工程系 专业 微电子技术 姓名 钦 班级 微电 学号 1003320 指导老师 席 职称 讲师 设计时间 201.9.19－.1.4 摘要: 。要晶圆工艺参数测试方法。关键介绍以下多个方面内容 ：参数测试在现在集成电路产业中关键性；晶圆可靠性参数测试相关知识介绍；测试参数介绍；和测试所需软件和硬件介绍；系统并具体说明了在测试过程中会碰到哪些问题，和在测试过程中操作者常常会犯得错误。错误种类等，和相关工程师如：工艺工程师；（负责相关产品测试程序编写）设备工程师(负责测试机台检测和维修）相关问题本文将做深入解释。 关键词：可靠性； 监测系统；晶圆测试； 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 摘要: 1 第一章 引言 3 1.1课题背景 3 1.2课题意义 3 第二章 ＷＡＴ测试介绍 4 2.1 ＷＡＴ作用 4 2.2 ＷＡＴ测试参数介绍 4 第三章 测试系统介绍 6 3.1 硬件系统介绍 6 3.2 测试操作步骤 7 3. 2.1 针卡放置 7 3.2.2 产品片放置 7 3.2.3 测试窗口打开 7 3.2.4 P8测试程序介绍 7 3.2.5 关键操作步骤 7 3.4 显微镜使用 9 3.5 P-8上产品测试操作 11 第四章 ＷＡＴ测试问题改善方案 12 4.1 常见测试问题 12 4.2 测试输入监测系统 12 4.3测试输入检验系统 12 总结 14 致谢 15 参考文件 16 第一章 引言 1.1课题背景 中国是世界上增加最快半导体市场，现在中国市场占全球市场约15%。据市场调研机构估计，中国在 前将成为全球最大半导体市场，市场份额约占全球市场１／４。 中国集成电路在20世纪90年代以前大部分为垂直生产“准IBM”模式。那是集成电路刚刚萌芽，中国也没有真正意义是代工企业，只是有能力企业进行集成电路，为小部分企业产能为中国设计服务。进入二十一世纪，以中芯国际，上海宏利等企业建设为代表，中国才有了真正意义上代工企业。这种国际化产业模式在中国创新快速缩小了中国和世界集成电路水平差异，不仅生产规模和生产能力快速扩大，生产技术也在几年里达成65纳米—90纳米，和国际优异水平只差1-2技术点。 1.2课题意义 晶圆可靠性参数测试（简称WAT测试）大多以完成制成、待出货芯片为测试对象。假如wafer在WAT站点因为测试问题造成报废对工厂是很大损失，所以降低因为测试问题影响wafer片数能够大大降低由此所产生成本消耗。也降低工厂成本，提升赢利。在中芯国际上海厂原来三个厂因为之前是分别发展，系统有所区分，不一样系统会浪费企业很多资源需要更多工程师进维护。对系统进行统一，可降低工程师维护成本，提升系统可靠性，降低新人训练所需时间。 第二章 ＷＡＴ测试介绍 2.1 ＷＡＴ作用 WAT在代工厂中处于比较特殊地位，在全部加工工艺以后出货物质检测之前，全部wafer必需经过WAT测试，而且测试结果必需面满足用户给出规格要求WAT在集成电路芯片测试过程中显得尤为关键. WAT测试出来窗口数据，除了作为出货判定依据外，还有很多方面用途，包含检测工艺窗口，对工艺进行除错，对可靠性刻画，对电路设计进行器件建模，开发下一代产品。WAT数据使用者包含：工艺整合工程，工艺工程，产品工程，器件工程师。 2.2 ＷＡＴ测试参数介绍 通常来说WAT参数测试分为两大类，一类和器件相关，包含MOS开启电压饱和电流，关闭电流，击穿电压等。另一类和工艺相关，包含结膜层接触电阻栅氧华层电性厚度隔离等。 开启电压为MOS从关闭状态到开启状态时，栅极上电压，开启电压分线性区开启电压和饱和区开启电压，线性开启电压测试条件为源和衬底接地，漏极接小电压通常为0.1伏。NMOS为正，PMOS为负，栅极从0伏扫到工作电压，在漏极电流达成一个给定值时候栅极电压就是开启电压，饱和区线性开其电压和线性区开启电压测试条件类似，区分在于漏极电压为开启电压，开启电压假如则再有微小情况轻易打开，造成错误。图1为MOS击穿电压图。 图 1 MOS击穿电压图 （1）饱和电压：以硅二极管为例，它饱和电压就大约在0.7V左右，当二极管两端加上顺向电压时(能够用电源供给器串接一个电阻)，就会产