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解析: 电子或 SO 4 2- 在电场中加速,有: eU = 2 1 mv 2 在磁场中偏转有: evB = R mv 2 q mU B R 2 1 ? (1) 式与 (2) 式得 设偏转角为 θ ,则: R r ? 2 q tan mU q = Br 2 所以: m q ? 2 tan q U O M θ + - P 电子束 r SO 4 2- 的荷质比远小于电子的荷质比,所以相比电子而 言,高速 SO 4 2- 经过磁场几乎不发生偏转,而是集中打在荧 光屏的中央,形成暗斑。 变式: 如图所示,一带负电荷的质点,质量为 m ,带电量 为 q ,从 M 板附近由静止开始被电场加速,又从 N 板的小 孔 a 水平射出,垂直进入半径为 R 的圆形区域匀强磁场中, 磁感应强度为 B ,入射速度方向与 OP 成 45 °角,要使质 点在磁场中飞过的距离最大,则两板间的电势差 U 为多 少? B v O Bq T = 2 ? m 2 ? t = T θ Bq θ m t = 例、 如图虚线所示区域内有方向垂直于纸面的匀强磁场, 一束速度大小各不相同的质子正对该区域的圆心 O 射入 这个磁场;结果,这些质子在该磁场中运动的时间有的 较长,有的较短,其中运动时间较长的粒子( ) A .射入时的速度一定较大 B .在该磁场中运动的路程一定较长 C .在该磁场中偏转的角度一定较大 D .从该磁场中飞出的速度一定较小 θ 1 R 1 s 1 θ 2 R 2 s 2 Bq mv R = t θ R s CD 例、 如图,半径为 r =3 × 10 - 2 m 的圆形区域内有一匀强磁场 B =0.2T ,一带正电粒子以速度 v 0 =10 6 m/s 的从 a 点处射入磁 场,该粒子荷质比为 q / m =10 8 C/kg ,不计重力。若要使粒 子飞离磁场时有最大的偏转角,其入射时粒子的方向应如 何(以 v 0 与 oa 的夹角表示)?最大偏转角多大? 说明: 半径确定时,通过的弧越 长,偏转角度越大。而弧小于半 个圆周时,弦越长则弧越长。 R = mv/Bq =5 × 10 - 2 m r 解析: O a B v 0 b α α R r ? = 37o , sin ? = r/R 最大偏转角为 2 ? = 74o 。 O a B v 0 解析: R ′ = mv 0 ′ /Bq =1.5 × 10 - 2 m = r/ 2 2 R ′ v 0 因此,在 ab 上方的粒子可能出现 的区域为以 aO 为直径的半圆,如图 所示。在 ab 下方粒子可能出现的区域 为以 a 为圆心, aO 为半径所作圆与磁 场相交的部分,如图。 最大偏转角为 180o ,射时粒子的方向应与 oa 的夹角为 30o 。 v 0 拓展: 若改粒子射入磁场的速度为 v 0 ′ =3.0 × 10 5 m/s ,其 它条件不变。用斜线画出该批粒子在磁场中可能出 现的区域。若要使粒子飞离磁场时有最大的偏转角, 其入射时粒子的方向应如何(以 v 0 与 oa 的夹角表示)? 最大偏转角多大? 例、 如图,圆形区域内有一垂直纸面的匀强磁场, P 为磁场边界 上的一点。有无数带有同样电荷、具有同样质量的粒子在纸 面内沿各个方向以同样的速率通过 P 点进入磁场。这些粒子射 出边界的位置均处于边界的某一段弧上,这段圆弧的弧长是 圆周长的 1/3 。将磁感应强度的大小从原来的 B 1 变为 B 2 ,结果 相应的弧长变为原来的一半,则 B 2 / B 1 等于多少? P P 3 例、 如图,环状匀强磁场围成的中空区域内有自由运动的带 电粒子,但由于 环状磁场的束缚 ,只要速度不很大,都不 会穿出磁场的外边缘。设环状磁场的内半径为 R 1 =0.5m , 外半径为 R 2 =1.0m ,磁场的磁感应强度 B =1.0T ,若被缚 的带电粒子的荷质比为 q/m =4 × 10 7 C/kg ,中空区域中带 电粒子具有各个方向的速度。试计算: ( 1 )粒子沿环状的半径方向 射入磁场,不能穿越磁场的最 大速度。 ( 2 )所有粒子不能穿越磁 场的最大速度。 O B R 2 R 1 R 2 r v 答案: ( 1 ) 1.5 × 10 7 m/s , ( 2 ) 1.0 × 10 7 m/s 。 磁约束核聚变研究装置 例、 如图,带电质点质量为 m ,电量为 q ,以平行于 Ox 轴 的速度 v 从 y 轴上的 a 点射入图中第一象限所示的区域。 为了使该质点能从 x 轴上的 b 点以垂直于 Ox 轴的速度 v 射出,可在适当的地方加一个垂直于 xy 平面、磁感应强 度为 B 的匀强磁场。若此磁场仅分布在一个圆形区域内, 试求这圆形磁场区域的最小半径。重力忽略不计。 y
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