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2.3 晶体中的杂质与缺陷电子态 * 结构上的缺陷，例如空位，位错等 ； 夹杂有与理想晶体的组分原子不同的 其它外来原子，即所谓的杂质。 容纳这些杂质的晶体主体则称为基质。 杂质原子在基质晶格中可能有不同的几何形态，替位原子， 间隙原子 。杂质和缺陷的复合体。 缺陷（也包括表面和界面）的存在，使晶体中电 子所经受的势场偏离了理想的周期势场，因而会改变 电子的运动状态，导致一些与理想晶体能带中的状态 不同的能态或能级， 特别是可以在禁带中形成某些定 域能级。这往往会明显影响晶体的物理性质。 根据定域能级离开带边的远近，分为浅能级和深能级。 大体上，浅能级靠近带边，与带边的能量间隔为 kB T 量级，深能级远离带边，距 带边的能量间隔远大于 kBT 。根据杂质对导电性的影响，分为施主 能级和受主能级；根据其发光性质，分为发光中心、电子陷 阱和猝灭中心等 ，不同的杂质能级扮演着各不相同的角色。因而，认识这 些杂质和缺陷电子态的行为具有重要意义。人们也设法控制材料中的缺陷和杂 质，包括有意的掺杂， 来获得满意的材料性质。 有意识地对半导体材料进行掺杂和控制材料中的缺陷密度， 已成为微电子和光电子材料和器件研制中至关重要的环节。我们将会看到， 一些与杂质和缺陷相关的电子态， 在固体的光跃迁过程中往往起着十分重要的作用。 缺陷的存在，使电子所感受到的势场发生改变， 偏离了理想晶体的周期势场（ V ( r ) V (r ) U (r ) ）。 在能带近似下，薛定谔方程现在变为： 2 2 2me V r U r R ,r E R R ,r （2.3-1 ） 其中， U r 为缺陷的存在引起的电子感受到的势场对理想晶体势场 V 的偏离。 原则上，势场变了，电子的本征态也要变。相应的本征能可能落在禁带中，也可能在允许带中。如何变化依赖具体情况。 下面我们讨论晶体缺陷密度很低的情形。这时， 缺陷间相隔很远，缺陷间的相互影响很弱（ 电子态基本上 只与单个缺陷有关，不同缺陷的 U r 间互不交叠 ），可以忽略不计， 因而我们研究的问题可以简化为晶体中只存在单个 缺陷的情形。 一个缺陷引入的势场 U r 总是局限在该缺陷附近一个或大 或小的范围里， 其强度也有大有小。 依据 U r 的大小，空间延展范围以及分布， 会形成不同程度地局域在缺陷附近的电子态。依据杂质势 U ( r ) 和晶体势 V (r ) 在 确定能态时的相对重要性， 有两种极限情形， 较容易进行深入的理论分析， 也具有重要的实际意义。 一种情形是杂质势远小于晶体势， 这时可能形成离带边较近的浅杂质态；另一种情形则相反， 杂质势明显大于晶体势， 形成所谓的紧束缚态。下面分别对这两类缺陷态的理论描述作一介绍，主要以简单的点缺陷杂质为例。 2.3.1 浅杂质态 一种情况是，电子虽然是处在被束缚的局域态，但其波函数展布在围绕杂质的一个明显大于晶体原 胞的空间范围里，而且晶体势 V 与缺陷势 U 相比，起着主导的作用，缺陷势 U 可以看作是微扰。 这种延展较广的局域能态往往处在禁带中离允 许带的带底或带顶较近（ meV量级）的地方，故称之 为浅杂质（或缺陷）态。 的局域 可以用 有效质量近似 (EMA)方法来 理。 以半 体材料中的浅施主 例。要描述 种 子 ，可以将 施主型杂质原子看成由一个带正电荷基质原子（实）和一个具有有效质量为导带电子所组成的体系。  e的 me* 的 导带电子受到带正电的（离化的）杂质（中心） 的作用，就可能被束缚在杂质周围，在禁带中形成一 个靠近导带底的束缚态（施主能级） 。 电子波函数的扩展范围远大于晶体原胞，基质晶 体可以看成是 具有介电系数 r 的连续介质 ，因而电子与杂质正电中心间的相互作用可近似为介质中的库 仑相互作用 U (r ) e2 （2.3-2 ） 4 0 r r 上式中 r 子相 的距离。 , 我 要解决的 就与 原子非常相似 , 是 子在正 荷的 中的运 ， 不同的只是 里 的是晶格中的 子而非真空中的 子， 无非是把 子 量 晶体中的 子有效 量， 并引入晶体的介 常数把真空中的 作用 介 中的 作用。 一个介 中的 原子 ，其能 和波函数可直接参照 原子的 果来得到， 只是能量的 0 点 ( 主量子数 n = ) 底。因而，主量子数 n 的束 能 的能量本征 ： En E Ec 1 e4 me* R* ,(n = 1,2, ?)( 2.3-3) n 2 32 2 2 2 2 n 2 r 0 这里 R* 为浅杂质态的电子结合能（ Eb E1 R* ）: 等效里德堡常数 * me*e4 me* R 2 2 2 2 2 R （2.