- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第二篇 材料电子显微分析;扫描电子显微镜的成像原理与透射电镜完全不同, 不是利用电磁透镜聚焦成像, 而是利用细聚焦电子束在样品表面扫描,用探测器接收被激发的各种物理信号调制成像
目前,扫描电子显微镜二次电子像的分辨率已优于 3nm,高性能的场发射枪扫描电子显微镜的分辨率已达到 1nm 左右,相应的放大倍数可高达30万倍
与光学显微镜相比, 扫描电子显微镜不仅图像分辨率高,而且景深大,因此在断口分析方面显示出十分明显的优势
扫描电子显微镜开始发展于20世纪 60年代,随其性能不断提高和功能逐渐完善, 目前在一台扫描电镜上可同时实现组织形貌、微区成分和晶体结构的同位分析, 现已成为材料科学等研究领域不可缺少的分析工具;第十三章 扫描电子显微镜;第一节 电子束与样品相互作用产生的信号;一、背散射电子
被样品原子散射,散射角大于90?而散射到样品表面以外
的一部分入射电子称为背散射电子, 包括弹性背散射电子和
非弹性散射背散射电子
产生于样品表层几百纳米的深度范围
能量范围较宽,从几十到几万电子伏特
产额随样品平均原子序数增大而增大, 所以背散射电子像的
衬度可反映对应样品位置的平均原子序数
背散射电子像主要用于定性分析材料的成分分布和显示相的
形状和分布;二、吸收电子
入射电子进入样品后,经多次非弹性散射使其能量消耗
殆尽,最后被样品吸收,这部分入射电子称吸收电子
产生于样品表层约1微米的深度范围
产额随样品平均原子序数增大而减小。因为,在入射电子束
强度一定的情况下,对应背散射电子产额大的区域吸收电子
就少,所以吸收电子像也可提供原子序数衬度
吸收电子像主要也用于定性分析材料的成分分布和显示相的
形状和分布;三、透射电子
若入射电子能量很高,且样品很薄,则会有一部分电子
穿过样品,这部分入射电子称透射电子
透射电子中除了能量和入射电子相当的弹性散射电子外,还
有不同能量损失的非弹性散射电子,其中有些电子的能量损
失具有特征值,称为特征能量损失电子
特征能量损失电子的能量与样品中元素的原子序数有对应???
系,其强度随对应元素的含量增大而增大
利用电子能量损失谱仪接收特征能量损失电子信号,可进行
微区成分的定性和定量分析;四、二次电子
在入射电子作用下,使样品原子的外层价电子或自由电
子被击出样品表面,称为二次电子
产生于样品表层5~10nm的深度范围
能量较低,一般不超过 50eV,大多数均小于10eV
其产额对样品表面形貌非常敏感,因此二次电子像可提供表
面形貌衬度
二次电子像主要用于断口分析、显微组织分析和原始表面形
貌观察等;电子信号强度的关系
如果使样品接地, 上述四种电子信号强度与入射电子强
度(i0)之间应满足 ib+ is+ ia+ it = i0 (13-1)
式中, ib、 is、 ia 和 it 分别为
背散射电子、二次电子、吸收
电子和透射电子信号强度。上
式两端除以 i0 得
? + ? + ? +? =1 (13-2)
式中, ?、?、? 和? 分别为背
散射、发射、吸收和透射系数
上述四个系数与 样品质量厚度
的关系如图13-2所示;五、特征X射线
如前(第一章)所述, 当入射电子能量足以使样品原子的
内层电子击出时,原子处于能量较高的激发态,外层电子将
向内层跃迁填补内层空位,发射特征X射线释放多余的能量
产生于
原创力文档


文档评论(0)