半导体照明课件 9 第8章 AlGaInP 发光二极管.pptVIP

纹理表面结构通常叫粗化技术，就是将出光面用化学腐蚀液腐蚀成许多小丘状，一般可提高出光效率50%-70%。 纹理表面结构 曾 * 第8章 AlGaInP发光二极管 AlxGayIn1-x-yP 四元系合金是可见光波段半导体激光器和发光二极管的重要材料。 当生长晶格匹配GaAs衬底， AlxGayIn1-x-yP合金具有1.9-2.6eV直接带隙宽度，其覆盖了可见光谱从红（橙、黄）绿部分。 四元系AlGaInP化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发光二极管的最佳材料，AlGaInP外延片制造的LED发光波段处在550～650nm之间, 这一发光波段范围内，外延层的晶格常数能够与GaAs衬底完善地匹配，这是稳定批量生产超高亮度LED外延材料的重要前提。 AlGaInP超高亮度LED采用了MOCVD的外延生长技术和多量子阱结构，波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%，已接近极限。 目前, MOCVD生长AlGaInP外延片技术已相当成熟。 1. AlGaInP材料的外延制作 AlxGayIn1-x-yP四元系是由AlP,GaP,InP组成的 固溶体半导体, 当x=0，或y=0,或x+y=1时，分别代表 三元系InxGa