0801安全培训简报-静电的危害与预防.ppt

02:20:41 31 电子器件所能承受的静电破坏电压 器件类型 静电破坏电压 (V) 器件类型 静电破坏电压 (V) VMoS 30 ～ 1800 OP-AMP 190 ～ 2500 M0SFET 100 ～ 200 JEFT 140 ～ 1000 GaAsFET 100 ～ 300 SCL 680 ～ 1000 PROM 100 STTL 300 ～ 2500 CMoS 250 ～ 2000 DTL 380 ～ 7000 HMOS 50 ～ 500 肖特基二极管 300 ～ 3000 E ／ DMOS 200 ～ 1000 双极型晶体管 380 ～ 7000 ECL 300 ～ 2500 石英压电晶体 ＜ 10000 从上表可见，大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人体活动所产生的静电可达几千 伏到几万伏。为此，对于贵重的电子器件，在选择包装、储运方式、储存环境时应考虑静电危害的潜在因素。 02:20:41 32 ② 液体静电危害 ? 液体带电时，其内部和周围空间会有电场存在。当场强足够高时，就 会发生放电。在一般情况下，液体内部的放电没有引燃的危险，但可 以引起化学变化。这些变化能改变液体的性能或引起有关设备的腐蚀。 液体在空气中的放电则有引燃的危险。油罐内液面与接地罐壁或其他 金属构件之间的场强超过击穿强度时，即发生放电。放电能量的