第四章 pn结二极管201309029.pptVIP

4.5 准中性区内的扩散电流 ? 载流子运动有漂移和 扩散两种方式。如果 均匀参杂区是准中性 d p 的。几乎没有电荷， J h ? - qD h 少数载流子并不很少， d x 那么少数载流子的流 动将以扩散为主。 J d n e ? qD e d x 2020/4/2 21 4.6 暗特性 ? 扩散长度； L h ? D h ? h 即空穴的扩散长度等于空穴扩散系 数与空穴寿命乘积的平方根 2020/4/2 22 扩散长度； ? 半导体中经常会出现这样的情况：从杂质（例如 P 型） 半导体的一端注入一定量的少数载流子，使得少数载 流子浓度在空间上出现梯度分布，如下图所示。这种 浓度差别奖导致载流子从高浓度向低浓度处扩散而引 起扩散电流。 ? 2020/4/2 23 ? 在图中， P 型半导体中热平衡时的电子浓度为 np ， x=0 处，由于外界电子注入，其浓度最大，为 n(0) ，电子 浓度 n(x) 随 x 增大而减小，减小的斜率就是浓度梯度。 在 x=0 处的浓度分布斜率切线延长与水平直线 n(x)= np 相交，对应的横坐标 x=Ln ，称为电子的扩散长度。 2020/4/2 24 4.6.2 少数载流子电流 ? 理想二极管定律 qV /( kT ) I ? I 0 ( e ? 1 ) 2 一个重要的公式饱和电流密度表达式： qD e n i qD h n i I 0 ? A ( ? ) L e N A L h N D L e 电子扩散长度； L h 空穴扩散长度 2020/4/2 25 2 4.7 光照特性 ? 光照时理想的 p-n 结电流 - 电压特性关系如下： I ? I kT ) 0 ( e qV /( ? 1 ) - I L 4.43 光生电流 I L 等于在二极管耗尽区及其 两边一个少数载流子的扩散长度内， 全部光生载流子的贡献。是太阳能电 池的有效收集区。 2020/4/2 26 4.8 太阳能电池输出参数 ? 通常用来描述太阳能电池输出特性的有 三个参数： I SC V OC FF 2020/4/2 27 4.8 太阳能电池输出参数 ? 短路电流 I SC ，理想情况下等于光生电流 I L 。 ? 开路电压 V OC ，及电池断路时电压，这时电流 为 0 ，公式中 I=0 I ? I ) 0 ( e qV /( kT ? 1 ) - I L 解出对应的电压就是 V OC 2020/4/2 28 第四章 pn 结二极管 201309029 第四周 2020/4/2 1 4.1 太阳能电池就是大面积 p-n 结 ? 太阳能电池最基本的要求是半导体结构的电子 不对称性。 P-n 结正好具有这种性质。 光照的 p-n 结短路 时，外电路有电 流通过。这种光 生电流是叠加到 普通二极管整流 特性上的，第四 相限区即电池工 作特性区。 2020/4/2 2 4.2 p-n 结的静电学 交界面及其两侧很薄的过渡区 p-n 结是同一块半导体中 p 型区与 n 型区 p n p-n 结是众多半导体器件的核心部分 2020/4/2 3 1 、 p-n 结的形成与杂质分布 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质 , 分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在 N 型半 导体和 P 型半导体的结合面上发生如下物理过程 : 因浓度差 ? 多子的扩散运动 ? 由 杂质离子 形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成自建电场 ? ? 促使少子漂移 阻止多子扩散 2020/4/2 4 4.2 p-n 结的静电学 ? 最后 , 多子的 扩散 和少子的 漂移 达到 动态 平衡 。 P 型半导体和 N 型半导体结合面以 及离子薄层形成的 空间电荷区 称为 p-n 结 。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也 称 耗尽层 。 2020/4/2 5 2 、 p-n 结空间电荷区 自建电场 E P X p X n N 空间电荷区 X m 电荷区为高阻区。 因为缺少载流子，空间 2020/4/2 6 4.2 p-n 结的静电学 处于热平衡的系统只 能有一个费米能级， 在远离结的地方孤立 的状态不受扰动。在 结的附近有一过渡区。 2020/4/2 7 4.2 p-n 结的静电学 ? 在过渡区，电 势变化为 ψ 0 q ? o ? Eg ? E 1 ? E 2 4.1 2020/4/2 8 2.12 参杂半导体中费米能级的位置 E F E c E F p 型半导体 E c E v n 型半导体 E v 2 2 p ? n n ? N D ( 完全电离） i / N D p ? N A ( 完全电离） n ? n i / N A N C 、 N V 导带 N c N v E F ? E c ? k B T ln E F ? E v ? k