单节锂离子锂聚合物可充电电池组保护芯片概述特性.docVIP

XB5352G 单节锂离子 /锂聚合物可充电电池组保护芯片 概述 XB5352G 产品 是单节锂离子 /锂聚 合物可充电电池组保护的高集成度解决方 案。 XB5352G 包括了先进的功率 MOSFET, 高精度的电压检测电路和延时电路。 XB5352G 使用 SOT23-5 封装和只有一个外部器件，使电池的保护电路空间最小化。这使得该器件非常适合应用于空间限制得 非常小的可充电电池组应用。 XB5352G 具有过充，过放，过流，过温 及短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。 该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池 长时间供电的各种信息产品的应用场合，如 智能手环、手表、蓝牙耳机等产品。  特性 ?充电器反向连接保护 ?电池反向连接保护 ?集成等效 45 mΩ 的先进的功率 MOSFET ? SOT23-5 封装 ?只有一个外部电容器 ?过温保护 ?过充电流保护 ?2 段过流保护 -过放电流 1 -负载短路电流 ?充电器检测功能 ?0V 电池充电功能 ?延时时间内部设定 ?高精度电压检测 ?低静态耗电流 工作状态 :2.8uA 典型值 .. 过放模式 :1.5uA 典型值 . 应用 ?兼容 RoHS 和无铅标准 · 单节锂离子电池 聚合物锂电池 图一、典型应用电路 - 1 - REV0.1 XB5352G 订货信息 过充电压 过充恢复电 过放电压 过放恢复电压 过流检测电流 产品型号 压 丝印 封装 [I OV1] (A) [V CU ] (V) [V CL ] (V) [V DL] (V) [V DR ] (V) XB5352G SOT23-5 4.425 4.25 2.40 3.0 5 5352GYW (note) 注意 : “YW”是生产日期 , “Y”是年份 , “W”是周号 管脚图 TOP VIEW 管脚描述 XB5352G 管脚号 管脚名称 管脚描述 1 VT 测试脚 2 GND 接地端，接电池芯负极 3 VDD IC 供电端 4,5 VM 电池组的负端。内部 FET 开关连接到 GND 绝对最大额定值 (注意 : 为保护器件，不允许超过以下最大额定值 . 长时间工作在最大额定值条件下可能会影响产品的可靠性 ) 参数 数值 单位 VDD 输入电压 -0.3 to 6 V VM 输入电压 -6 to 10 V - 2 - REV0.1 工作环境温度 最大结温 储存温度 引脚温度 ( 焊接 , 10 秒 ) 环境温度 25°C 时的功耗 封装热限 (结温 ) θJA 封装热阻 (结到环境 ) θJA ESD  XB5352G -40 to 85 °C 125 °C -55 to 150 °C 300 °C 0.625 W 250 °C/W 130 °C/W 2000 V 电气特性 除非特殊说明，所有指标均为 T=25°C 条件下 参数 标识  测试条件  最小值 典型值  最大值  单位 检测电压 过充检测电压 过充恢复电压  V CU V CL  4.375 4.425 4.20 4.25  4.475 4.30  V V 过放检测电压 VDL 过放恢复电压 V DR 检测电流 过放电流 1 检测电流 *I IOV1 负载短路检测电流 *I SHORT 电流功耗 正常工作功耗 IOPE 关机功耗 IPDN VM 端电阻 VM 和 VDD 间内部电阻 *R VMD VM 和 GND 间内部电阻 *R VMS  VDD=3.6 VDD=3.6 VDD=3.6 VM =0V VDD=2.0V VM pin 悬空 VDD=2.0V VM pin 悬空 VDD=3.6V VM=1.0V - 3 -  2.3 2.4 2.9 3.0 5 20 2.8 1.5 320 100  2.5 3.1 6 3  V V A A A A k? k? REV0.1 XB5352G FET 导通电阻 FET 等效导通电阻 *R SS(ON) VDD=3.6V 40 45 55 m? IVM =1.0A 过温保护 过温保护温度 *T SHD+ 120 过温保护恢复温度 *T SHD- 100 °C 检测延时 过充检测延时 t CU 130 mS 过放检测延时 tDL 40 mS 过流检测延时 *t IOV VDD=3.6 10 mS 短路检测延时 *t SHORT VDD=3.6 75 uS 注 :*— 该参数设计保证，成测不测 . Figure 3. Functional Block Diagram - 4 - REV0.1 FUNCTIONAL DESCRIPTION The XB5352G monitors the voltage an