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■ 用磁阻传感器测量地磁场
目的要求
了解磁阻传感器定标以及测量地磁场水平分量和磁倾角的方法,
掌握测量弱磁场的一种重要手段和实验方法。
实验原理
地磁场作为一种天然磁
源,在军事、航空、航海、
工业、医学、探矿等科研
中有着重要用途。 通过实
验可以掌握磁阻传感器
定标以及测量地磁场水
平分量和磁倾角的方法,
了解测量弱磁场的一种
重要手段和实验方法。
物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性
金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时,
电阻几乎不随外加磁场变化; 当外加磁场偏
离金属的内部磁化方向时,此类金属的电阻减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。
磁阻传感器是由长而薄的坡莫合金
( 铁镍合金 ) 制成的一维磁阻微电路集成芯片,其坡
莫合金膜,如图所示,该薄膜的电阻率
(
依赖于磁化强度
和电流
I
方向的夹角
θ
,具
ρθ)
M
有以下关系式
ρ(θ) = ρ
2
+ (ρ// - ρ ) cos θ
⊥
⊥
其中 ρ// 、ρ 分别是电流 I 平行于 M 和垂直于 M 时的电阻率。 当沿着坡莫合金膜的长度方
⊥
向通以一定的直流电流, 而垂直于电流方向施加一个外界磁场时,
坡莫合金膜的电阻值会发
生较大的变化,利用这一变化,可以测量磁场的大小和方向。
磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器,它能测量与管脚平行方向的磁场。传感器
由四条铁镍合金磁电阻构成一个非平衡直流电桥,非平衡电桥输出部分接集成运算放大器,
将信号放大输出, 如图所示。 由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同,
当存在外界磁场
时,引起电阻值变化有增有减。因而输出电压
U out 可以用下式表示:
U =U b ×ΔR / R
式中 Ub 是电桥的工作电压,
R/R 是外磁场引起的磁电阻阻值的相对变化。
对 于 一 定 的 工 作 电 压 如
U b=5.00V ,HMC1021Z 磁阻传感器输
出电压 U 与外界磁场的磁感应强度
成线性关系,即
U = U 0 + KB (3)
式中, K 为传感器的灵敏度,
B 为待
测磁感应强度, U0 为外加磁场为零时
传感器的输出电压。
为了确定磁阻传感器的灵敏度,
需要有一个标准磁场来定标。为此,
可采用亥姆霍兹线圈。亥姆霍兹线圈公共轴线中心点位置的磁感应强度
B 由下式给出:
μ NI
8
B =
0
R53 / 2
(4) 式中 N 为线圈匝数, I 为线圈流过的电流强度, R 为亥姆霍兹线圈的平均半径,
μ0 为真空
磁导率。
实验装置
1.磁阻传感器 : 工作电压 6V,灵敏度 50V/T
2.亥姆霍兹线圈 : 单只线圈匝数 500 匝, 半径 10cm.
3.直流恒流源 : 输出电流 0-200.0mA,连续可调
4.直流电压表 : 量程 0-200mV,分辨率 0.01mV
实验内容
1.熟悉磁阻传感器测量弱磁场的方法, 测量磁阻传感器的
灵敏度。
2.测量地磁场的水平分量、竖直分量以及磁倾角的大小,计算地磁场磁感应强度。
3.用磁阻传感器测量通电单线圈产生磁场分布,并与理论值进行比较。
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