BCD基本工艺综述专业资料.docVIP

BCD工艺及发展情况综述 摘要：伴随市场对低功耗、高效率节能功率电子产品需求不停扩展，单芯片智能功率集成电路（SPIC）得到了迅猛发展。现在，SPIC制造关键采取一个称为BCD（Bipolar CMOS DMOS）集成工艺技术，本文依据实际工艺电压标准着重叙述了高压BCD、大功率BCD和高密度BCD工艺各自特点及发展标准，同时介绍了世界著名IC制造厂商并叙述了BCD工艺整体发展特点及趋势。 关键词：SPIC功率集成技术 BCD工艺 1、引言 智能功率集成电路（SPIC）是指将高压功率器件及低压信号处理电路和外围接口、检测、保护等功效电路集成到单芯片上集成电路技术。SPIC发展依靠于现在最关键功率集成技术——BCD工艺，BCD工艺特点是将硅平面工艺用到功率集成上，该工艺是一个能够将双极、CMOS和DMOS器件同时集成到单芯片上技术，1986年，由意法半导体企业率先研制成功了第一代BCD工艺，当初技术被称为Multipower BCD technology[1]，是一个4μm 60V工艺，在传统结隔离双极工艺中整合进了纵向DMOS（VDMOS）结构，该工艺采取了12张掩膜版，其工艺截面结构图1所表示： 图1 ST企业第一代BCD工艺集成器件剖面图[1] 在功率应用领域，和传统双极功率工艺相比BCD工艺含有显著优势，最基础优势就是使得电路设计者能够在高精度模拟双极器件，高集成度CMOS器件和作为功率输出级DMOS器件之间自由选择。因为DMOS含有高效率(低损耗)、高强度(无二次击穿)、高耐压、固有源漏二极管存在(作用类似续流二极管) 和高速开关特征，所以，DMOS尤其适合作为功率开关器件，而且其制造工艺能够和和硅栅CMOS制造工艺兼容，从而有利于功率集成。整合好BCD工艺可大幅降低功耗，提升系统性能，增加可靠性和降低成本。 经过近三十年发展，BCD工艺技术已经取得了很大进步，从第一代4μm BCD工艺发展到了第六代0.13μm BCD工艺，线宽尺寸不停减小同时也采取了更优异多层金属布线系统，使得BCD工艺和纯CMOS工艺发展差距缩小；其次，BCD工艺向着标准化模块化发展，其基础工序标准化，混合工艺则由这些基础工序组合而成，设计人员能够依据各自需要增减对应工艺步骤。当今BCD工艺中CMOS和纯CMOS完全兼容，现有图形单元库能够直接被混合工艺电路调用。 总来说，以后BCD工艺关键向着高压，高功率和高密度这三个方向发展，同时提升和CMOS工艺工艺兼容性，并针对更多应用需要灵活化工艺设计；另外，BCD技术和SOI技术相结合也是一个很关键趋势，现在部分新兴BCD技术也已经形成体系，如： HVCMOS-BCD关键用于彩色显示驱动，RF-BCD关键用于实现手机RF功率放大输出级，BCD-SOI关键用于无线通信。BCD工艺发展使更多复杂功效能够集成。这使SPIC设计变得愈加灵活、方便,设计时间和费用大幅度降低。这么便出现了将微处理器、存放器等系统关键单元和接口、电源、保护等单元单片集成高智能化功率系统（PSoC），即面向系统高智能功率技术( system oriented technology)。 2、BCD集成电路技术研究进展 2.1 中国外著名厂商及其工艺 部分著名国际半导体企业在功率集成技术领域处于领先地位，如德州仪器（TI）、仙童半导体（Fairchild）、Power Integration(PI)、国际整流器企业（IR）、飞思卡尔（Freescale）、意法半导体（ST）、Philips、三菱等。中国拥有BCD工艺线厂商比较有限，关键有台积电（TSMR）、中芯国际、华虹NEC、上海宏力半导体、上海新进半导体、华润上华等。 ST企业是欧洲功率半导体最大厂商，其首创BCD工艺在1980年代中期引入时，立即就成为几乎全部智能功率应用首选。经过不停改善、分化，ST企业开发了一系列对全球功率IC影响深远BCD工艺,如BCD3（1.2μm）[2]、BCD4（0.8μm）[3]、BCD5（0.6μm）[4]、BCD6（0.35μm）[5]。最新BCD工艺是基于VLSI CMOS平台0.18μm BCD8[6]和0.13μm BCD工艺。 NXP企业（原飞利浦半导体企业）在BCD工艺方面也做了大量研究，尤其是SOI BCD方面，NXP企业已经推出了一系列基于自己开发SOI BCD工艺平台功率集成芯片产品，在低噪声，高可靠性，高频率要求应用领域占据了很大市场份额。 TSMC在-间推出了模组化BCD工艺，此新BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特工作电压范围，可支持多个LED应用，包含：LCD平面显示器背光源、LED显示器、通常照明和车用照明等，且工艺横跨0.6μm至0.18μm等多个世代，并有数个数字关键模组可供选择。 中芯国际推出BCD工艺平台关