半导体二极管三极管来料检验作业规程.docVIP

电子元器件来料检验规程（一） 半导体晶体管部分 内容 本规程要求了本企业常见半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验抽样方法、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。 范围 本规程适适用于本企业常见半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验和验收。 引用标准 GB2828.1- 计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限（AQL）检索逐批检验抽样计划 GB2421 电工电子产品基础环境试验规程 总则 GB2423.22 电工电子产品基础环境试验规程 试验Cb：恒定湿热试验方法 GB2421 电工电子产品基础环境试验规程 试验N：温度改变试验方法 GB4798.1 ?电工电子产品应用环境条件 贮存 检验测试设备和测试方法 测试设备：DW4824型晶体管特征图示仪（或QT2型晶体管特征图示仪等） 测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置 数字万用表、不锈钢镊子等应手工具 晶体管特征图示仪、数字万用必需经检定合格而且在计量检定使用期内。 人员素质：能熟练操作使用晶体管特征图示仪进行多种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。 测试准备： 晶体管特征图示仪每次开启，必需预热五分钟。检验确定图示仪技术状态完好方能进行测试。 每种器件在测试前全部要做外观检验：管脚应光洁、明亮，管身标志清楚、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。 4.1 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT 关键测试参数： IGBT特征曲线 IGBT饱和压降VCES IGBT栅极阈值电压VGE（th） IGBT击穿电压VCER 测试方法： 现将上述特征参数测试方法分述以下。 4.1.1 测IGBT输出特征曲线 按附表1“常规测试/输出特征曲线”栏、测IGBT要求，调整晶体管特征图示仪各选择开关档位。正确连接对应IGBT测试夹具、插座或装置，检验连接无误后，接入待测IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT输出特征曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（图1a所表示）。不然为不合格（图1b所表示）。 图 1 4.1.2 测IGBT饱和压降VCES 在特征曲线中选择VGE=4.5V一条曲线，它和IC=7.0A直线交点所对应VC电压值就是所测试IGBT在VGE=4.50V、IC=7.0A时饱和压降VCES。 VCES＜3.0V为合格。不然为不合格。 4.1.3 测IGBT转移特征曲线 按附表1“常规测试/转移特征曲线”栏、测IGBT要求调整晶体管特征图示仪各选择开关档位。正确连接对应IGBT测试夹具、插座或装置，检验连接无误后，接入待测IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT转移特征曲线。 该线簇应该是一组幅度由小到大、等间距竖直线段。这些线段一端在X轴上，另一端连接起来应该是一条平滑曲线。 4.1.4 测IGBT栅极阈值电压VGE（th） 观察特征曲线和IC=1mA直线交点所对应VBE电压值，就是该IGBT在该测试温度下栅极阈值电压VGE（th）。此时VBE=VGE（th）。 所测得VGE（th）在该IGBT标称栅极阈值电压范围内为合格。不然为不合格。 4.1.5 测IGBT击穿电压VCER 按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT要求，调整晶体管特征图示仪各选择开关档位。接入待测IGBT并使栅极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观察特征曲线形状及击穿点电压，此电压在该IGBT标称击穿电压范围内为合格。不然为不合格。 注意：操作人员应避免直接接触高压电极，而且每测试完一只IGBT击穿电压，全部要将“峰值电压调整”旋钮调整回0，以保障人员和设备安全。 4.2 达林顿大功率NPN晶体管 关键测试参数： 达林顿晶体管共射输出特征曲线 达林顿晶体管饱和压降BVCES 达林顿晶体管共射极电流放大系数β 达林顿晶体管反向击穿电压BVCE0 测试方法： 现将上述特征参数测试方法分述以下。 4.2.1 测达林顿晶体管共发射极输出特征曲线 按附表1“常规测试/输出特征曲线”栏、测达林顿晶体管要求，调整晶体管特征图示仪各选择开关档位。正确连接对应达林顿晶体管测试夹具、插座或装置，检验连接无误后，接入待测IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管共发射极输出特征曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（图2a所表示）。不然为不合格（图2b所表示）。 图 2 4.2.2 测达林顿晶体管饱和压降BVCES 观察达林顿晶体管共发射极输出特征曲线IC=6A直线和饱和区某一特征曲线交点所对应VCE值，就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流IC=6A时饱和压降VCES。 观察到VCES值在该达林顿晶体管标称饱和压降范围