半导体器件物理I复习重点笔记.doc

半一复习笔记 By 潇然 .1.12 1.1平衡PN结定性分析 1. pn结定义：在一块完整半导体晶片（Si、Ge、GaAs等）上，用合适掺杂工艺使其一边形成n型半导体，另一边形成p型半导体，则在两种半导体交界面周围就形成了pn结 2. 缓变结：杂质浓度从p区到n区是逐步改变，通常称为缓变结 3. 内建电场：空间电荷区中这些电荷产生了从n区指向p区，即从正电荷指向负电荷电场 4. 耗尽层：在无外电场或外激发原因时，pn结处于动态平衡，没有电流经过，内部电场E为恒定值，这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层 1.2 平衡PN结定量分析 1. 平衡PN结载流子浓度分布 2. 耗尽区近似：通常室温条件，对于绝大多部分势垒区，载流子浓度比起N区和P区多数载流子浓度小多，仿佛已经耗尽了，此时可忽略势垒区载流子，空间电荷密度就等于电离杂质浓度，即为耗尽区近似。所以空间电荷区也称为耗尽区。在耗尽区两侧，载流子浓度维持原来浓度不变。 1.4 理想PN结伏安特征（直流） 1. 理想PN结：符合以下假设条件pn结称为理想pn结 (1) 小注入条件—注入少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多；Δnn0, Δpp0, (2) 突变耗尽层条件—外加电压和接触电势差全部降落在耗尽层上，耗尽层中电荷是由电离施主和电离受主电荷组成，耗尽层外半导体是电中性。 (3) 经过耗尽层电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽层中载流子产生及复合作用； (4) 玻耳兹曼边界条件—在耗尽层两端，载流子分充满足玻耳兹曼统计分布。 2. 理想pn结模型电流电压方程式（肖特来方程式）： 1.5 产生-复合电流 1. 反偏PN结产生电流 2. 正偏PN结复合电流 1.6 理想PN结交流小信号特征 1. 扩散电阻 2. 扩散电容 1.7 势垒电容 在考虑正偏时耗尽层近似不适用情况下，大致认为正偏时势垒电容为零偏时四倍，即 1.8 扩散电容 定义：正偏PN结内因为少子存放效应而形成电容 1.9 PN结瞬态 1.10 PN结击穿 1. 雪崩击穿 (1) 定义：在反向偏压下，流过pn结反向电流，关键是由p区扩散到势垒区中电子电流和由n区扩散到势垒区中空穴电流所组成。当反向偏压很大时，势垒区中电场很强，在势垒区内电子和空穴受到强电场漂移作角，含有很大动能，它们和势垒区内晶格原子发生碰撞时，能把价键上电子碰撞出来，成为导电电子，同时产生一个空穴。 (2) 击穿电压 ，和NB成反比，意味着掺杂越重，越轻易击穿； (3) 临界电场 (4) 特点 (5) 提升雪崩击穿电压方法 2. 齐纳击穿 (1) 定义：隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引发一个击穿现象。 (2) 特点 (3) 注意事项（帮助了解） 隧道击穿时要求一定NVA 值，它既能够是N小VA大；也能够是N大VA 小。 前者即杂质浓度较低时，必需加大反向偏压才能发生隧道击穿。不过在杂质浓度较低，反向偏压大时，势垒宽度增大，隧道长度会变长，不利于隧道击穿，不过却有利于雪崩倍增效应，所以在通常杂质浓度下，雪崩击穿机构是关键。 以后者即杂质浓度高时，反向偏压不高情况下就能发生隧道击穿，因为势垒区宽度小，不利于雪崩倍增效应，所以在重掺杂情况下，隧道击穿机构变为关键。 附：二极管模型和模型参数 2.1 BJT直流特征-定性分析 2.2 BJT直流特征-定量分析 1. 基础关系 ① In（X1）=In（X2），In（X3）=In（X4），耗尽区不考虑复合； ② IE=In（X2）+Ip（X1），即发射极电流等于E→B电子扩散电流和B→E空穴扩散电流之和；此处可推导γ0 ③ In（X2）=In（X3）+IvB，即E→B电子扩散电流，等于进入C电子漂移电流和在B区因电子复合产生复合电流之和；此处可推导αT0 2. 发射结发射效率γ0 对于NPN型晶体管，γ0定义为注入基区电子电流和发射极总电流之比，即有 （定义） 代入Ip（X1）（B区空穴注入E区扩散电流）和In（X2）（E区电子注入B区电子电流），得下式 3. 基区输运系数αT0 对于NPN晶体管，定义为抵达集电结边界X3电子电流In(X3)和注入基区电子电流In(X2)之比，即有 （定义） 代入复合电流和E→B电子扩散电流，再利用扩散系数和扩散长度关系消去寿命τ 2.3 非均匀基区晶体管直流电放大系数 1. 形成过程：以NPN晶体管为例，在B区内，人为令靠近E区部分掺杂浓度高，靠近C区部分掺杂浓度低→产生浓度差，多子空穴从左扩散至右→左边空穴浓度低于杂质浓度，带负电荷；右边空穴浓度高于杂质浓度，带正电荷→产生向左电场→电场强度一直增强，直到空穴扩散运动强度