现代cmos工艺基本流程.pptVIP

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2021-01-04 发布于天津
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现代cmos工艺基本流程.ppt

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NMOS 管衔接注入 ? NMOS 管衔接注入 – 低能量、浅深度、低掺杂的砷离子注入 – 衔接注入用于削弱栅区的热载流子效应 Arsenic (-) Ions Photoresist N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 31 除去光刻胶 N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 32 光刻胶成形 ? 光刻胶成形 – 用于控制 PMOS 管的衔接注入 Photoresist N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 33 PMOS 管衔接注入 ? PMOS 管衔接注入 – 低能量、浅深度、低掺杂的 BF 2 + 离子注入 – 衔接注入用于削弱栅区的热载流子效应 BF 2 (+) Ions Photoresist P Tip N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 34 除去光刻胶 P Tip N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 35 ? Si 3 N 4 淀积 Si 3 N 4 淀积 Thinner Here Thicker Here – 厚度 120 ～ 180nm – CVD P Tip P Tip N Tip Silicon Nitride N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 36 ? Si 3 N 4 刻蚀 Si 3 N 4 刻蚀 – 水平表面的薄层 Si 3 N 4 被刻蚀，留下隔离侧墙 Spacer Sidewall – 侧墙精确定位晶体管源区和漏区的离子注入 – RIE P Tip P Tip N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 37 光刻胶成形 ? 光刻胶成形 – 用于控制 NMOS 管的源 / 漏区注入 Photoresist P Tip N Tip N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 38 NMOS 管源 / 漏注入 ? NMOS 管源 / 漏注入 – 浅深度、重掺杂的砷离子注入，形成了重掺杂的源 / 漏区 – 隔离侧墙阻挡了栅区附近的注入 Arsenic (-) Ions Photoresist P Tip N + Drain N + Source N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 39 除去光刻胶 P Tip N + Drain N + Source N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 40 光刻胶成形 ? 光刻胶成形 – 用于控制 PMOS 管的源 / 漏区注入 Photoresist P Tip N + Drain N + Source N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 41 PMOS 管源 / 漏注入 ? PMOS 管源 / 漏注入 – 浅深度、重掺杂的 BF 2 + 离子注入，形成了重掺杂的源 / 漏区 – 隔离侧墙阻挡了栅区附近的注入 BF 2 (+) Ions Photoresist P + Drain P + Source N + Drain N + Source N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 42 除去光刻胶和退火 ? 除去光刻胶和退火 – 用 RTP 工艺，消除杂质在源 / 漏区的迁移 Lightly Doped “Tips” P + Drain P + Source N + Drain N + Source N Well - P Well - Silicon Epi Layer P - Silicon Substrate P + 43 平面视图 ? 完成晶体管源 / 漏极，电子器件形成 Cross Section Trench