紫外与可见探测技术概述、材料与发展趋势.ppt

紫外与可见探测技术概述、材料和发展趋势;;; ;;黑体应用: 测温领域 辐射温度计 ;;第一节：概述;第一节：概述;;;;;第一节：概述;第一节：概述;第一节：概述;第一节：概述;;第一节：概述;第一节：概述;;第一节：概述;第一节：概述;;;第一节：概述;第一节：概述;第一节：概述;;第一节：概述;第二节：紫外与可见探测器分类;第二节：紫外与可见探测器分类;第二节：紫外与可见探测器分类;第二节：紫外与可见探测器分类;第二节：紫外与可见探测器分类;第二节：紫外与可见探测器分类; ;（a）点接触型 （b）面接触型;第三节：典型紫外与可见探测器件; ;第三节：典型紫外与可见探测器件; ; ;APD线性阵列; ;;; ; ;; ; ; ; ; ; ;光电二极管; ; ; CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器出现于1969年,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉，有着广泛的应用前景。CCD(Charge-coupled Device,电荷耦合元件) ;CMOS成像器件的组成 像敏单元结构 工作流程和辅助电路;它的主要组成部分是像敏单元阵列和MOS场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的； 像敏单元阵列由光电二极管阵列构成。如图中所示的像敏单元阵列按X和Y方向排列成方阵，方阵中的每一个像敏单元都有它在X，Y各方向上的地址，并可分别由两个方向的地址译码器进行选择；输出信号送A/D转换器进行模数转换变成数字信号输出。 ;图像信号的输出过程： 在Y方向地址译码器（可以采用移位寄存器）的控制下，依次序接通每行像敏单元上的模拟开关（图中标志的Si,j），信号将通过行开关传送到列线上； 通过X方向地址译码器（可以采用移位寄存器）的控制，输送到放大器。 由于信号经行与列开关输出，因此，可以实现逐行扫描或隔行扫描的输出方式。也可以只输出某一行或某一列的信号。;注意：在CMOS图像传感器的同一芯片中，还可以设置其他数字处理电路。例如，可以进行自动曝光处理、非均匀性补偿、白平衡处理、γ校正、黑电平控制等处理。甚至于将具有运算和可编程功能的DSP器件制作在一起形成多种功能的器件。;像敏单元结构指每个成像单元的电路结构，是CMOS图像传感器的核心组件。像敏单元结构有两种类型，即被动 （无源）像敏单元结构和主动（有源）像敏单元结构。;只包含光电二极管和地址选通开关两部分。 ;被动像敏单元结构的缺点是固定图案噪声（FPN）大、图像信号的信噪比较低。 主动像敏单元结构是当前得到实际应用的结构。它与被动像敏单元结构的最主要区别是，在每个像敏单元都经过放大后，才通过场效应管模拟开关传输，所以固定图案噪声大为降低，图像信号的信噪比显著提高。;场效应管T1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲到来时，T1导通，光电二极管被瞬时复位； 当复位脉冲消失后，T1截止，光电二极管开始积分光信号。 T2为源极跟随器，它将光电二极管的高阻抗输出信号进行电流放大。 T3用做选址模拟开关，当选通脉冲到来时，T3导通，使被放大的光电信号输送到列总线上。;复位脉冲首先来到，T1导通，光电二极管复位； 复位脉冲消失后，光电二极管进行积分光信号； 积分结束时，T3管导通，信号输出。;第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备;宽禁带半导体材料（Eg2.3eV）; ;; ; ;磁控溅射;磁控溅射靶的类型;分子束外延（MBE）;基本部分：;SiH4;第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备;第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备; ; ; ;外延生长：;GaN基材料外延技术难点：;什么样的wafer是好产品？Si为例;金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）定义： 利用金属有机化合物热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术。 着眼点：选择特殊的反应，来降低反应温度。 原料：金属的烷基，芳基，烃基，乙酰丙酮基衍生物。;第四节：紫外与可见探测用敏感材料制备;特点： （1）沉积温度低，减少自污染，提高纯度。 （2）有利于外延薄膜和极薄膜的生长。 超晶格，异质结 （3）适用范围广，主要用于Ⅲ－Ⅴ， Ⅱ－Ⅵ， Ⅳ－Ⅳ 族化合物半导体材料，GaAs、ZnSe、SiC、BaTiO3、BST、YBCO……;第四节：紫外与可见探测