电子技术-场效应管.ppt

1.5 单极型三极管 1.5.1 MOS 管的基本结构 双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的 电流控制型 器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之 为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流 子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用 输入电压产生的电场效应控制输出电流的 电压控制型 器件。 上图所示为单极型三极管产品实物图。单极型管可分为结型 和绝缘栅型两大类，其中绝缘栅型场效应管应用最为广泛，其 中又分增强型和耗尽型两类，且各有 N 沟道和 P 沟道之分。 1.5.1 MOS 管的基本结构 由二氧化硅层 表面直接引出 栅极 G 由另一高浓度 N 区引出的漏极 D 二氧化硅 (SiO2) 绝缘保护层 S G D 由高浓度的 N 区 引出的源极 S N + N + 两端扩散出两个 高浓度的 N 区 杂质浓度较低， 电阻率较高。 N 区与 P 型衬 底之间形成两 个 PN 结 以 P 型硅为衬底 B 由衬底 引出电极 B S 大多数管 子的衬底 在出厂前 已和源极 连在一起 G D 铝电极、金属 （ M etal ） N + N + 二氧化硅氧化物 （ O xide ） 以 P 型硅为衬底 S emiconductor) B 半导体 （ 故单极型三极管又称为 MOS 管。 MOS 管电路的连接形式 － － S U GS U DS + G D 漏极与源极间 电源 U DS 栅极与源极间 电源 U GS + N + N + P 型硅衬底 如果衬底在出厂前未 连接到源极上，则要根 据电路具体情况正确连 接。一般 P 型硅衬底应 接低电位， N 型硅衬底 应接高电位，由导电沟 道的不同而异。 B 不同类型 MOS 管的电路图符号 D B 衬 底 D B 衬 底 D G G G B 衬 底 S N 沟道增强型图符号 D B 衬 底 S P 沟道增强型图符号 S N 沟道耗尽型图符号 虚线表示 增强型 实线表示 耗尽型 G S P 沟道耗尽型图符号 由图可看出，衬底的箭头方向表明 了场效应管是 N 沟道还是 P 沟道： 箭头向 里 是 N 沟道， 箭头向外 是 P 沟道。 1.5.2 MOS 管的工作原理 － U GS =0 U DS + I D =0 G D S N + PN 结 不存在 原始沟道 P N + P 型硅衬底 PN 结 B 以增强型 NMOS 管为例 说明其工作原理。 N 沟道增强 型 MOS 管不存在原始导电沟 道。 当栅源极间电压 U GS =0 时，增强型 MOS 管的漏极和源极之间相当 于存在两个背靠背的 PN 结。 此时无论 U DS 是否为 0 ，也 无论其极性如何，总有一 个 PN 结处于反偏状态， 因此 MOS 管不导通， I D =0 。 MOS 管处于截止 区。 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加 U GS 且与源极连在一起，由于二氧化硅绝 缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚 集大量正电荷。 － + S － 出现反型层 形成 导电沟道 U GS U DS =0 + G D 二氧化硅层在 U GS 作用下被充 电而产生电场 电场力 排斥空穴 N + N + P 型硅衬底 B 形成耗尽层 电场吸引电子 导电沟道形成时，对应的栅源间电压 U GS = U T 称为 开启电压 。 当 U GS U T 、 U DS ≠0且较小时 － + 当 U 继续增大， U 仍 GS DS I D U DS 然很小且不变时， I D 随 S － + D G 着 U GS 的增大而增大。 U U T GS 此时增大 U DS ，导电沟 道出现梯度， I D 又将随 着 U DS 的增大而增大。 N N 直到 U = U － U = U GD GS DS T + + 时，相当于 U DS 增加使漏 极沟道缩减到导电沟道 P 型硅衬底 刚刚开启的情况，称为 预夹断 ， I D 基本饱和 。 B 导电沟道加厚 产生漏极电流 － + I D S － + U DS U