材料微观结构晶体中的位错与层错2.pptVIP

将 (1-10) 面躺平，原子在 (1-10) 面上的投影如下图所示，“° ” 和 “ ?” 分别代表上下两层原子。图中由左上指向右下方的实线是 (112) 面在 (1-10) 面上的投影迹线。 BCC(112) 面各原子层的堆垛 顺序是： A 1 A 2 B 1 B 2 C 1 C 2 A 1 A 2 B 1 B 2 C 1 C 2 … 。 每两个相邻的 (112) 面的间距为 a/6[112] ，但彼此相对位移一个矢量， 此矢量在 [11-1] 和 [1-10] 方向的分量分别为 a/6[11-1] 和 a/2[1-10] 。下 图表示的是以 C 2 表示的 (112) 为镜面， (1-10) 面的原子沿 [11-1] 方向滑 移 1/6[11-1] 或沿反方向滑移 1/3[-1-11] 而形成的。 孪晶的切变为： a a [ 11 1 ] [ 1 1 1 ] 1 6 3 ? 或 ? 2 a a 2 [ 112 ] [ 112 ] 6 3 这和莫特 1951 年在 α -Fe 中的观察结果一致。 (2) BCC 全位错的分解与层错 ? BCC 中全位错的分解 ? ? ? BCC 金属的滑移方向是 111 ，全位错柏氏矢量为 a/2111 。 滑移面有三种类型 {110}(3 个同族面 ) 、 {112}(3 个 ) 和 {123}(6 个 ) ，它们都包含 111 方向。这些面都 会相 交于一个 111 方向，所以 BCC 会经常出现交滑移。 电镜中会经常看到波纹状的滑移线，这说明层错能 γ 很 高，扩展位错宽度 d 很小，一般观察不到。至今未见 这方面的报道。 BCC 中还有一种次短全位错 a100 若按下式分解： a [ 100 ] ? a 2 [ 111 ] ? a 2 [ 1 1 1 ] 容易计算反应前后的能量分别为 a 2 和 3a 2 /2 ，能量升高，不可取。 但下述反应可以进行： a 2 [ 111 ] ? a 2 [ 1 1 1 ] ? a [ 100 ] a [ 100 ] ? a [ 010 ] ? a [ 110 ] 上节课内容回顾 ? ? ? ? 根据原子的滑移方向和位错线取向的几何 特征不同，位错可以分为哪几种类型？都 是什么样的？ 什么是柏氏矢量 b ？能量最稳定的 b 是怎样 的？ 位错按照 b 是否为点阵周期的整数倍可以分 为哪几种位错，哪一个能量上最稳定？ 什么是柏氏矢量的守恒性？ 4.3.3 全位错分解、层错、扩展位错 面缺陷，与材料的力学性能很相关 层错 与 全位错 的分解密切相关 不全位错 （层错和完整晶体的边界） 扩展位错 位错反应 ? 位错 具有很高的能量 , 因此它是不稳定的 . 在 实际晶体中 , 组态不稳定的位错可以转化为组 态稳定的位错 , 这种位错之间的相互转化称为 位错反应 . 位错反应的结果是降低体系自由能 . 位错反应的可能性 (1) 几何条件： Σ b 前 = Σ b 后 反应前后分矢量之和必须相等。 (2) 能量条件： Σ b 2 前 Σ b 2 后 位错反应后应变能必须降低，此是反应驱动力。 以 a/2[-110] →a/6[ -12-1]+a/6[-211] 为例 (1) 几何条件 反应前： a/2[-110] 反应后： a/6[-12-1]+a/6[-211]=a/6[-330]=a/2[-110] Σ b 前 = Σ b 后 (2) 能量条件 反应前： Σ b 2 前 =[a/2SQRT((-1) 2 +1 2 +0 2 )] 2 =a 2 /2 反应后： Σ b 2 后 =[a/6SQRT((-1) 2 +2 2 +(-1) 2 )] 2 + [a/6SQRT((-2) 2 +1 2 +1 2 )] 2 =a 2 /3 Σ b 2 前 Σ b 2 后 该位错反应能够进行 1.FCC 中的层错与扩展位错 (1)FCC 层错的基本类型，如 Al, Cu, Ag, Au ? ? FCC 金属密排面｛ 111 ｝ 正常堆垛顺序是 ABCABCABC … 如果不按正常顺序出现 ABCABABC … 或 ABCABACABC … ，即少 了 C 或多了 A ，出现错排， 就会有层错。 1. 抽出型层错 ( 内禀型 ) 2. 插入型层错 ( 外禀型 ) 抽出型层错： 上面的 A 层和下 面的 B 层崩塌向中心挤压 插入型层错： 从别处扩散来 的许多溶质原子，并形成了 一个多余的 A 原子片层