钽钌靶材的制备及氮化钽钌基扩散阻挡层的研究.pdf

摘要 摘 要 随着微电子器件集成度越来越高，互连导线尺寸逐渐减小到10 纳米以下， 亟需高性能的扩散阻挡层来阻止铜 （Cu）互连导线与硅基体之间的互扩散来确 Cu 保严酷工况下 互连导线的服役安全性及服役寿命。论文采用真空热压烧结方 法制备了与Cu 几乎不互溶的Ta-Ru 合金靶材，研究了Ru 含量对合金靶材物相 组成、微观结构及力学性能的影响。采用反应磁控溅射方法在Si 衬底上制备了 Ta-Ru-N 系列阻挡层，表征了阻挡层的物相结构、表面形貌、厚度、方块电阻， 分析了Cu/Ta-Ru/Ta-Ru-N 体系的热稳定性及阻挡层的性能，制备出了性能良好 的阻挡层。主要工作如下： 1. 1700 20 MPa 40 MPa 采用粉末冶金热压烧结工艺，在 ℃， 和 压力条件下 制备Ta-Ru 靶材。随着Ru 含量增加，合金中依次出现TaRu、Ta Ru，TaRu 等 3 4 金属间化合物。提高烧结压力能促进TaRu 之间的反应，有助于提高靶材相对密 度。 2.随Ru 含量增加，靶材抗拉强度逐渐升高，显微硬度先升高后降低， Ru 含量的增加使致密度得到了提高，降低了孔隙率提高了合金的屈服强度。Ta-Ru 合金的断裂方式为解理断裂。 3.通过反应磁控溅射制备出非晶结构的Ta-Ru-N 薄膜。在氮分压为2:7 时， 薄膜表面最为平整，表面质量较好。Ta-Ru-N 薄膜的方阻随着氮气流量的增加而 逐渐变大，薄膜逐渐向近绝缘态过渡。 4.Cu/Ta-Ru-10N/Si 体系在700 ℃以上退火30 min 后阻挡层发生失效，Cu 膜 中开始出现Cu Si、Ta O 、TaSi 及Ru Si 等化合物，进而导致Cu 膜表面出现凸 3 2 5 2 X 起导致粗糙度明显增加。Cu/Ta-Ru-10N/Si 体系的方块电阻随着退火温度升高呈 现先降低后急剧增加的变化趋势。Cu/Ta-Ru-10N/Si 薄膜在700 ℃温度下开始失 效，说明Ta-Ru-10N 阻挡层具有良好的扩散阻挡性能。 5. Cu/Ta-Ru/Ta-Ru-10N/Si Cu/Ta/Ta- 利用反应磁控溅射方法沉积堆栈结构的 、 Ru-10N/Si 和Cu/Ta-Ru/Ta-10N/Si 三种薄膜。实验结果表明，三种薄膜退火后Cu 均沿着Cu(111)取向择优生长。Cu/Ta-Ru/Ta-Ru-10N/Si 能够在750 ℃下保持良好 的稳定性，膜厚约为34.04 nm 其方块电阻较低，约为0.15 Ω/□，表明Ta-Ru/Ta- Ru-10N 堆栈结构扩散阻挡层具有良好的阻挡性能，能有效提高Cu 薄膜的热稳 定性。Cu/Ta/Ta-Ru-10N/Si 能够在700℃下保持良好的稳定性，膜厚约为30.26 nm 其方块电阻较低约为0.23 Ω/□。Cu/Ta-Ru/Ta-10N/Si 薄膜在750 ℃下能够保 持良好的热稳定性，膜厚约为38.4 nm 方块电阻维持在0.12 Ω/□。本文制备的 I 摘要 三种扩散阻挡层均能够有效的阻挡Cu 原子向Si 基地进行扩散，能够有效提高 Cu 薄膜的热稳定性。Cu/Ta-Ru/Ta-10N/Si 在具有良好热稳定性的同时，其方块 电阻也最低，方块电阻严重影响集成电路的稳定性和可靠性，故Ta-Ru/Ta-10N 为最优扩散阻挡层。 关 键 词：钽钌靶材；热压烧结；氮化钽钌薄膜；扩散阻挡层；热稳定性 论文类型：应用研究 选题来源：国家自然科学基金项目(U1504516)