负电子亲和势光阴极.docxVIP

表面势垒低于导带底的光阴极（如 GaAs:Cs-O）。表面势垒高于导带底的称 为正电子亲和势光阴极（如Sb-K-Na-Cs）;表面势垒平于导带底的称为零电子亲和 势光阴极（如GaAs:Cs）（图1）。 3正电了亲科 b零电子亲和 v负电f?亲和| 势光阴极 势比阴极 刘比阴櫛 图1容种光阴穂 Ec导带底 Ev价带顶 费米能级 0逸出功E*电子亲和势 1963年美国R. E.西蒙斯根据半导体能带理论提出负电子亲和势概念。 1965 年荷兰J.J席尔和J范拉制成GaAs:Gs光阴极。人们又制出其他川-V族化合物光 阴极,如 InP, GaxIn1-xAs（0x1）, GaJm-yPzAs1-z（0y1, 0z1）等,统称为川-V 族化合物负电子亲和势光阴极? 体状CQ C/O想A a Vft* Cs^O b W-ViSt； Cs-O 表面畀质结模型 冬面啾T■模曜 能极图 能機图 图2 异庚繪換型与1S极子模型 对负电子亲和势光阴极表面吸附的 Cs-O层的解释，有异质结和偶极子两种模 型（图2）。异质结模型认为，Cs-O表面层是一层体状的、具有 N型半导体性质 的CszO,它与P型川-V族化合物晶体（如掺Zn的GaSb）接触，形成异质结。此 模型给出在表面吸附层内有一界面势垒 （约1.2电子伏）。根据偶极子模型，Cs-O 层是很薄的Cs偶极子与Cs2O偶极子串联的双偶极子，其厚度约8埃。这与单原 子尺度的实验是一致的 光阴极分反射式和透射式两种。入射光的方向与电子发射的方向相反， 称为 反射式；入射光的方向与电子发射的方向相同，称为透射式。 透射式GaAs光阴极的灵敏度最高可达 2毫安/流，量子效率（电子/光子）为 27%,表面逸出几率为42%,加为0.9微米。 实验证明，Eg1.2电子伏（即 汕1微米）的 川-V族化合物的激活条件比 较临界，难以获得最佳表面状态而且长波量子效率很低。这是由于川 -V族化合 物发射层与Cs-O表面吸附层形成的界面势垒所致。当发射层的Eg1.2电子伏时， 被激发到导带底相应能量的电子被这个界面势垒所 阻挡”而不能逸至真空。应用 偏压辅助场则使被 阻挡”的电子获得附加的能量，越过这个界面势垒或利用隧道 效应穿过这个界面势垒，在外电场的作用下发射至真空中，从而提高 Ah1微米 的量子效率。为了进一步改善电子在晶体内的传输性能，以便得到最优化条件 , 可将入射光的吸收层与电子发射层分开，这就是转移电子负电子亲和势光阴极。 实际上在同一个 川-族化合物负电子亲和势光阴极中可同时使用偏压辅助场和 转移电子的工艺。 透射式川-V族化合物负电子亲和势光阴极的光谱响应范围在一定的条 件下是可以设计的，其Ah受窗口玻璃或衬底的限制；而2th并决定于发射体的Eg。 设计时须注意选择衬底、过渡层（突变或缓变）、发射层、窗口玻璃的光学性能 （除发射层吸收入射光以外，其他各层对入射光应尽可能透过） 、晶体性能（衬 底与外延层的晶格要匹配）、热性能（各层的热膨胀系数要接近）和选择性腐蚀 液。 反射式Gao.23|no.77As光阴极的Ah约为2.1微米。为使 汕再向长波延长,只 有选择Eg比较小的三元或四元川-V族化合物，例如 InPxAs1-x，GaxIn1-xSb, InPxSb1-x，GaxIn1-xAsyP1-y（以上 ）,InPxAsySbz（x+y+z=1）。要实现这些川-V族 化合物负电子亲和势光阴极，首先要解决多层异质外延生长，其次要解决光阴极 的冷却（因为Ah越长，则热发射越大） 夜视技术航空应用 AN/AVS-6型飞行员夜视镜，研制公司为 Bell Hawell，视场40o，美陆军先后通过奥 米尼巴斯采办计划（Omi nibus I, Omn ibus n ,Om nibus川,Omn ibus IV）,进行过四次采 办，每次采办，性能都有所改进。目前正大量装备陆军航空部队， 用于固定翼飞机或直升机。 其中，OmniBus V计划由ITT承包，负责提供改进的 AN/AVS-6，改后的AN/AVS-6的核 心部分为ITT研制的MX-10160像增强管，这种第三代像增强管使用最新砷化镓技术，工 作于近红外区，代替了早期（Omn ibus I, n,川）系统的像增强管，使分辨率提高 78% , 光灵敏度提高80%，信噪比提高30%，探测距离也大大提高，在星光和更暗的夜光下也能 看清物体。 ITT也研制和生产 AN/AVS-9型（前身为F4949 ）夜视镜，安装在固定翼飞机飞行员 的头盔上。 美国和以色列联合提供的 AN/AVS-7型夜视飞行图像系统/平视显示器（ANVIS/HUD ）, 是对AN/AVS-6型的改进。该系统安装在飞行员护目镜上部两侧， 以获取关键飞行信息， 并 传输至护目镜，和护目镜的图像叠加后，