2005年A《催化原理》期末复习试题及答案.doc

华东理工大学2004－2005学年第二学期 《催化原理》课程期末考试试卷 A 2005.6 开课学院：化学与制药学院，考试形式：闭卷，所需时间 120 分 考生姓名： 学号： 专业： 班级： 题序 一 二 三 四 五 六 得分 评卷人 一、填空 （共30分，每空格1分） 1、催化剂与催化反应按催化体系物相的均一性进行分类，可分为均相催化，非均相催化/多相催化，如按反应机理进行分类，可分为 酸碱催化反应 ， 氧化还原催化， 配位催化 。 2、影响固体催化剂活性的主要因素有：几何因素， 电子因素 ，和化学因素。 3、对于半导体，电子导电称为 n 型半导体，空穴导电成为 p 型半导体。对于非化学计量的化合物半导体，含过多正离子为 n 半导体，正离子缺位为 p 半导体。如果半导体中的金属离子被高价离子取代，则 n 型电导增加，若被低价离子取代，则 p 型电导增加。 4、金属晶体大多可用三种基本晶体点阵来表示： 六方最密堆积 ， 立方最密堆积 和 体心立方密堆积 ， 其中 体心立方密堆积 的不饱和度最高。 5、在配位催化的晶体场理论中，d电子处于未分裂的d轨道的总能量和它们进入分裂的d轨道后的总能量之差，称为 晶体场稳定化能 。 6、由于催化反应受内、外扩散的影响，常常会引起催化剂的表观活性 小于 催化剂的本征活性。一般认为：增大反应空速，有利于消除 外扩散 的影响；减小催化剂的粒度，有利于消除 内扩散 的影响；增大催化剂的孔径，有利于消除 内扩散 的影响。 7、吸附等温式是在一定温度下，吸附达到平衡时，吸附量（常以体积或表面覆盖度表示） 与 压力 之间的函数关系式。根据所采用的吸附模型不同，吸附等温式可分为：Langmuir吸附等温式 ，Freundlich吸附等温式，Tenkin吸附等温式。其中Langmuir吸附：吸附热Q随覆盖度 不变 。Freundlich吸附：吸附热Q随覆盖度 呈指数下降 ，适用于物理吸附和化学吸附 吸附。Tenkin吸附：吸附热Q随覆盖度 呈线性下降 ，适用于化学吸附 吸附。 二、名词解释 （共20分，每题4分） 1）配位催化及机理特征 单体分子与活性中心配位络合，接着在配位界内进行反应 反应在催化剂活性中心的配位界内进行 或反应中至少有一个反应品种是配位的 2）助催化剂的定义与分类 在活性组分中添加的某种物质,它们本身的活性很小,甚至可以忽略，但却能显著地改善催化剂的效能(如活性,选择性,稳定性等)，这些物质叫助催化剂。 助催化剂可分为结构型助催化剂和电子型助催化剂。 3）结构敏感反应 在催化反应中同时涉及几个相邻催化剂表面原子的，催化活性受表面结构、合金效应、金属本性等的影响都很显著。 4）分散度 表面原子数占总原子数的百分数 5）催化剂失活与再生 催化剂在使用过程中由于发生中毒、积碳、烧结、流失等而造成催化剂的活性下降，叫做催化剂失活。 催化剂的活性下降后，通过适当的处理方法使催化剂的活性得到恢复，叫做催化剂再生。 三、假设气体A和B（压力分别为PA和PB）在催化剂上的吸附服从Langmuir吸附模型，反应生成气体M和N（压力分别为PM和PN），表面反应为控制步骤，其余均达平衡： A + B ?? M + N *：为吸附位，KA＝ka1/kd1，KB＝ka2/kd2，KM＝kd3/ka3，KN＝kd4/ka4 请推导反应速率方程。（共10分） 反应速度： ka1*PA*θ=kd1*θA ka2*PB *θ= kd2*θB ka3*PM *θ= kd3*θM ka4*PN *θ= kd4*θN θ+θA+θB+θM+θN = 1 ， ， 四、称取催化剂样品２克，利用低温氮吸附法测定其比表面，将实验数据按BET 公式以P/V(P。-P) 对 P/P。作图，所得直线的斜率和截距各为0.010/毫升 和 0.005/毫升，并已知该催化剂的孔容为 0.30ml/g， 骨架密度SYMBOL 114 \f Symbols为 2.5g/ml, N2分子的截面积为 16.2?2。试求该催化剂的：（共10分，每小题2.5分） ⑴比表面积（m2/g）; ⑵平均孔径（?）; ⑶颗粒密度（g/ml）。 (4) 若蒸发焓?H为5.6kJ/mol。求单分子吸附层吸附热（假设各层a和b常数相同）。 BET方程为： Vm =1/(斜率+截距)，Vm为单分子层吸附量 Vm＝66.67ml =1.79*1021 (1) S总=Nm*16.2*10-20m2 S比表面积＝S总/2g＝145.20 m (2) r平均孔径＝2V孔容/S＝41.3? (3)