材料科学研究方法课件-9第九章-俄歇电子能谱 下载2017.pdf

俄歇电子能谱(AES) 俄歇电子能谱法  俄歇电子能谱法是用具有一定能量的电子束(或X射线) 激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度， 从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。 俄歇电子能谱(AES) •1925年法国的物理学家俄歇（P.Auger）在用X射线研究光电 效应时就已发现俄歇电子，并对现象给予了正确的解释。 •1968年L.A.Harris采用微分电子线路，使俄歇电子能谱开始 进入实用阶段。 •1969年，Palmberg、Bohn和Tracey引进了筒镜能量分析器， 提高了灵敏度和分析速度，使俄歇电子能谱被广泛应用。 俄歇电子能谱的基本机理是：入射电子束或X射线 使原子内层能级电子电离，外层电子产生无辐射俄 歇跃迁，发射俄歇电子，用电子能谱仪在真空中对 它们进行探测。 俄歇过程和俄歇电子能量 俄歇电子 WXY跃迁产生的俄歇电 子的动能可近似地用 经验公式估算，即： WXY俄歇过程示意图 俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与， 所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。 (Z≥3)孤立的锂原子因最外层只有一个电 子，也不能产生俄歇电子，但固体中因价 电子是共用的，所以金属锂可以发生 KVV 型的俄歇跃迁。 俄歇电子产额  俄歇电子产额或俄歇跃迁 几率决定俄歇谱峰强度， 直接关系到元素的定量分 析。俄歇电子与荧光X射 线是两个互相关联和竞争 的发射过程。对同一K层 空穴，退激发过程中荧光 X射线与俄歇电子的相对 俄歇电子产额与原子序数的关系 发射几率，即荧光产额(ω ) K 和俄歇电子产额( )满足 由图可知，对于K层空穴Z19，发射俄歇 αK 电子的几率在90％以上；随Z的增加，X射 αK =1 －ωK 线荧光产额增加，而俄歇电子产额下降。 Z33时，俄歇发射占优势。 俄歇分析的选择  通常  对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析；  14Z42的元素，采用LMM俄歇电子较合适；  Z42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳。 为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析 方法且空间分辨率高？  大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高 的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率） 取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射 深度。  能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面 的俄歇电子，发射深度仅限于表面以下大约2nm 以内，约相当于表面几个原子层，且发射（逸出） 深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。  在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射X射线或 电子束的侧向扩展几乎尚未开始，故其空间分辨 率直接由入射电子束的直径决定。 积分谱和微分谱  俄歇谱一般具有两种形式，积分谱和微分谱；  积分谱可以保证原来的信息量，但背景太高， 难以直接处理；可以直接获得。  微分谱具有很高的信背比，容易识别，但会失 去部分有用信息以及解释复杂。可通过微分电 路或计算机数字微分获得。 俄歇化学位移效应  虽然俄歇电子的动能主要由元素的种类和跃迁 轨道所决定；  但由于原子内部外层电子的屏蔽效应，芯能级 轨道和次外层轨道上的电子的结合能在不同的 化学环境中是不一样的，有一些微小的差异。  这种轨道结合能上的微小差异可以导致俄歇电 子能量的变化，这种变化就称作元素的俄歇化 学位移，它取决于元素在样品中所处的化学环 境。 俄歇化学位移效应  一般来说，由于俄歇电子涉及到三个原子轨道能