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第五章作业：
1. Ge GaAs
如何由 和 的吸收光谱来判断间接和直接跃迁半导体？
2. 试述Raman 散射的主要特征，为什么斯托克斯线比反斯托克斯线
的强度大？
3. 画图说明半导体中的发光机制有哪些？试述激发光谱、发射光谱
与吸收光谱的异同。
4. 有一半导体样品，室温下其波长吸收限为510nm，求该材料在室
410nm 0.7mm
温下的禁带宽度。今用紫色光 （ ）照射厚度为 的
样品，假设入射光无反射和散射，为了使透射光的强度不超过入
80
射光的 ％，材料对紫色光的吸收系数至少应该为多大？该波长
光对材料的穿透深度为多少？
5. 0.5 m GaAs h 2.26eV
一块厚度为 µ 的 样品受到 ν 的单色光照射，
4 -1
GaAs材料对该单色光光吸收系数是α 6x10 cm ，入射光束的功
率为20mW。已知室温下GaAs材料的波长吸收限为849.2nm，不
(1)
考虑反射和散射影响，求 单位时间内被样品吸收光子的总能量；
(2) 受激电子在复合之前在单位时间内传递给晶格的能量。
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