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气隙位置对电感参数的影响及改进 除了用铁粉芯作磁芯的电感外，一般电感（ Flyback变压器为耦合电感）。气隙的位置对电感参数有较大影 响，下面基于有限元计算对此问题进行分析并给岀一种新结构之磁芯。 为方便起见，从一 EE型的Flyback变压器开始分析，其内部磁场分为如下几个部分：主磁通，旁路磁通及 扩散磁通 电感器的损耗由旁路磁通及扩散磁通引起。 由于主磁通与线圈平面平行（假定线圈为铜箔且没有端部效应） 它不会引入电流密度 J的变化，从而不影响线圈内电流的分布，此时线圈内电流由线圈自己决定。但旁路 磁通与扩散磁通深入线圈，使铁芯窗口内的磁场分布不再均匀，从而引起电流的重新分布，使电流集中在 某一处。 如果，我们以气隙至磁轭的距离与磁芯中柱高度之比（ hg/h）为变量，可得岀气隙在不同位置时电感器损 耗变化图如下： 由此图可知，气隙在中间时损耗最小，在两端时损耗最大，差别可达 100%。这也就是我们通常 EE Core 用得比El Core多的一个原因吧！ 有没有办法将气隙优化且工艺方便？答案是肯定的： 在以上影响电感损耗的两部分磁通中，扩散磁通与气隙形状有关，与位置关系不大，当然当它在两端时由 于磁路长度发生一定变化，还是有所变化的。为简化问题，此部分以后再作详细讨论。那么，就只有旁路 磁通的影响了。通过下面的分析，可以得岀，旁路磁通的大小是与磁芯高度方向上的平均磁压降密切相关 的。当气隙处于中间与两端时，磁压分布如下图所示： d 1 1 \ A A 7lN/2 ■ (b) 图a中的平均磁压降为IN/2，b为IN/4。 假定旁路磁通与底边平行，又由于 B=dU*u0/w，可知，a中的磁密必定大于 b中的磁密，磁场方向与线圈 垂直。 下面是损耗与平均磁压降的关系： 可得岀磁压降越低，损耗越低的结论。 由此，如果我们可以将磁压降降得更低，就可得到损耗更低的电感! 由于它将气隙交错布置，使磁压降在高度方向上岀现二次转折，仅为 IN/8。它的损耗比起气隙居中者可再 下降约50%。 文中指的损耗不包含磁芯损耗!