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Chap2半导体材料的电学和光学特性 Chap２ 半导体材料的电学和 光学特性 2.1 半导体材料的电学特性 2.2半导体材料的光学特性 2.3半导体材料的种类和特性及PN结 1 Chap2半导体材料的电学和光学特性 半导体材料是最重要最有影响的功能材料之一，它在微电 子领域具有独占的地位，同时又是光电子领域的主要材 料。当前，国际上已经发展并且最有前途的半导体材料 有：硅(Si）、锗(Ge)（第一代半导体材料）、III-V 族化合物（GaAs, InP 等，第二代半导体材料），II-VI 族化合物等单晶（CdSe 等），IV-IV 族化合物（SiC 等，第三代宽带 隙半导体）单晶、微晶、纳米晶和非晶半导体。 2 Chap2半导体材料的电学和光学特性 半导体材料的品种很多，从无机材料到有机材料。其 中有元素半导体，也有化合物半导体及固溶体。在化 合物半导体中又有二元和多元化台物及其固溶体。 3 Chap2半导体材料的电学和光学特性 4 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.1 元素半导体 在元素周期表中，金属和非金属元素之间有12种具有半导体性质的元素，它们是B、C、Si、Ge、灰-Sn、P、灰-As、黑-Sb、S、Se、Te、I。 但它们的大多数都是不稳定的，如S、P、As、Sb、I都易挥发。除Se可以做光电池外、整流器外，基本上没有什么应用价值，只有Ge、Si性质优越，是应用广泛的半导体材料。 5 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.1 元素半导体 6 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.1 元素半导体 Ge的导带底处在K空间的111方向，因此具有8个对称的导 带。但它们处在布里渊边缘上，与相邻的布里渊区共有一个 导带，因此属于第一布里渊区的导带数为4个。 硅的导带底处在100方向上，离K=0点约2/3左右处，因此 它具有6个对称的导带。 Ge和Si的价带都处于K=0点处，它的结构比较复杂。 7 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.1 元素半导体 mi*是与主轴垂直方向的有效质量，ml*是与主轴平行方向的有效质量。空穴的有效质量有两种：m1*是轻空穴的有效质量，m2*是重空穴的有效质量。 8 2.3.1 元素半导体  Chap2半导体材料的电学和光学特性 备课用 9 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.2 化合物半导体 由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类很多，重要的有砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。 10 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.2 化合物半导体 III-V族半导体 III-V族半导体是当前半导体电子器件和光电子器件最常用 的材料，如具有高电子迁移率的异质结双极晶体管， LD，LED，光探测器，电光调制器等，这些器件的性能 和所用材料的物理特性密切相关。除了二元化合物外，还可以形成三元、四元合金，调节带隙，形成量子异质结器件，扩大了应用范围。 11 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.2 化合物半导体 IIIIII--VV族族半半导导体体材材料料特特点点 宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2.3—6.2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ，是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的 高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G） 12 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.2 化合物半导体 IIIIII--VV族族半半导导体体材材料料特特点点 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） 13 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.2 化合物半导体 IIIIII--VV族族半半导导体体材材料料特特点点 ?(Al、Ga、In）N基材料的禁带宽度可以从1.9eV（ InN）、 3.4eV（ GaN）到6.2eV（ Al N）。 ?III-N材料的能带结构为直接带隙。 III-N材料的发光波段可以覆盖整个可见光波段。 14 Chap2半导体材料的电学和光学特性 2.3.2 化合物半导体 闪锌矿型结构 zinc blende structure 又称立方硫化锌型结构（cubic β-ZnS structure）。 属等轴晶系。晶体结构中B原子呈立方密堆积，A原子填充在B原子构成的四面体空隙中。A、B原子的配位数均为4。A—B原子间为共价键联系。 属闪锌矿型结构类型的化合物有：硼、铝、镓和铟的磷化物，砷化物和锑化物， 15