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目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 第1章ESD保护器件的主要特性参数分析及典型应用 1 ESD保护原理 错误!未定义书签。 \o Current Document TVS相关参数 2 \o Current Document ESD 应用 4 底部连接器的应用 4 RJ-45（10/100M 以太网网络） 4 视频线路的保护 5 SIM卡数据线路保护 5 USB 保护 6 音频/扬声器数据线路保护 6 按键/开关 6 本文总结 7 第1章ESD保护器件的主要特性参数分析及典型应用 1.1引言 随着电子信息技术的迅速发展，当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化。特别是 像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求比较严格的应用，很容易受到静电放电 （ESD）的影 响。电路保护元件的选择根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来 决定。因为利用先进工艺技术制造的 IC电路里氧化层比较薄，栅极氧化层更易受到损害。而且一些 采用深亚微米工艺和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对电路瞬变过程的影响更加敏感，这 将导致上述问题加重。 因此要求保护器件必须具备低箝位电压以提供有效的 ESD保护；而且响应时间要快以满足高速 数据线路的要求；封装集成度高以适用便携设备印制电路板面紧张的情况；同时还要保证多次 ESD 过程后不会劣化以保证高档设备应有的品质。 TVS（Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器）正 是为解决这些问题而产生的，它已成为保护电子信息设备的关键性技术器件，是专门设计用于吸收 ESD能量并且保护系统免遭 ESD损害的固态元件。如果应用得当， TVS二极管将限制跨在被保护 器件上的电压刚好高过额定工作电压，但是却远低于破坏阈值电压。 1.2 TVS的特性与工作原理 TVS是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间 （亚纳秒级）和相当高的 浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时， TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高 阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压 钳制在一个预定的数值上，从而保 护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此， TVS可用于保护设备或电路免受静 电、电感性负载切换时产生的瞬变电压 [4]，以及感应雷所产生的过电压。 图1所示为TVS的符号 及伏安特性曲线。 图1 TVS管伏安特性曲线 TVS管和稳压管一样，也是反向应用的。其中 Vr称为反向关断电压，是反向击穿之前的临界 电压。Vb是击穿电压，其对应的反向电流 It 一般取值为1 mA。Vc是最大箝位电压，当 TVS管中 流过的峰值电流为Ipp的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此 TVS管能够始终把被保护的 器件或设备的端口电压限制在 Vb?Vc的有效区内。与稳压管不同的是， Ipp的数值可达数百安培， 而箝位响应时间仅为 1 X 10-12s。TVS的最大允许脉冲功率为 Pm=Vc|pp，且在给定最大钳位电压下， 功耗Pm越大，其浪涌电流的承受能力越大。 图2 TVS管电压电流波形图 图2是在双踪示波器上观察到的 TVS管在承受大电流冲击时的电流及电压波形。图中，曲线 1是TVS管中的电流波形，可以看岀：其流过 TVS管的电流由1mA突然上升到峰值后，然后按指 数规律下降。曲线 2是TVS管两端的电压波形，它表示 TVS中的电流突然上升时， TVS两端电压 也随之上升。在浪涌电压的作用下， TVS两极间的电压由额定反向关断电压 Vrwm上升到击穿电压 Vb而被击穿。随着击穿电流的岀现，流过 TVS的电流将达到峰值脉冲电流 Ipp,同时其两端的电压 被箝位到预定的最大箝位电压 Vc以下。其后，随着脉冲电流按指数衰减，该过程中， TVS两极间 的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是 TVS抑制可能岀现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件 的过程。事实上，当 TVS两极受到反向高能量冲击时，它能以 10-12s级的速度，将其两极间的阻抗 由高变低，以吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，从而有效地保护电子设 备中的元器件免受 ESD的损害。 TVS二极管的优势 TVS与齐纳二极管：与传统的齐纳二极管相比， TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改 进使TVS具有更强的高压承受能力， 同时也降低了电压截止率， 因而对于保护手持设备低工作电压 回路的安全具有更好效果。 TVS与陶瓷电容：很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作 ESD保护，不但便宜而且设 计简便，但这类器件对高压的承受力却比较弱。 5kV的冲击会造成约 10%陶瓷电容失效，到 10kV 时，