ICP刻蚀机设备总结报告教学PPT课件.ppt

射频匹配原理 通过计算说明，当负载电阻R与射频源内阻r相等时，负载R吸收的能量最大。射频源的输出阻抗通常与输出电缆的特征阻抗相同，即50Ω,要使负载与电缆的特征阻抗相匹配，就需要加匹配网络，使得射频源的输出功率全部加到负载上，而无反射功率或反射功率很小。 二、设备原理 自动阻抗匹配网络 匹配系统中，将检测器检测到的入射功率和反射功率作为主控芯片的输入，该输入可换算成反射系数的模值；主控芯片将采集到的反射系数信息引入自动阻抗匹配算法后，得到C1和C2的改变值，然后将控制信号送到电机驱动桥来控制电机转动，调节Cl和C2的值，实现阻抗自动匹配的目的。 二、设备原理 C1 C2 二、设备原理 * * * 设备总结报告 ICP刻蚀机-System133 ICP380 * 一、设备简介 设备概况 设备名称： ICP刻蚀机 型号： System133 ICP380 生产商及生产日期：牛津仪器，2010年 用途： 刻蚀GaN等材料 一、设备简介 主要外围条件： 2.1设备工作原理 二、设备原理 将待刻蚀晶片放置于预腔室中托盘上，抽真空到达一定真空度，放置晶片的托盘经机械臂传送到达主腔室中。 加上射频后，气体分子被电离，产生了电子和离子。在外加电场作用下，带电粒子被加速。其中电子很快获得高动能高速运动并与其它的分子或原子撞击，发生电离、分解、激发等复杂的过程，产生等离子体，发出辉光，并产生自偏压。其中： 离子通常并不会直接参与反应，而是会受偏压加速，直接轰击基材。将基材的原子带离。 自由基并不会受到偏压的影响而往基材加速，但是会藉由扩散的效应而到达并吸附在基材表面，与基材进行化学反应，形成挥发性分子。挥发性分子脱离基材被抽出。 RF：控制等离子体能量 ICP：控制等离子体密度 + Gas molecules Ions Volatile gases Wafer Gases in Gases out GaN+ion→Ga*+N* N*+N* →N2 Ga*+xCl →GaClx GaN刻蚀 二、设备原理 ICP的基本蚀刻机制，可以区分为下列几种类型： 化学蚀刻(chemical etching)：等离子体与基材发生化学反应而得到蚀刻效果。 物理蚀刻(physical etching)：离子直接撞击基材，造成基材原子直接脱离基材。 离子辅助蚀刻(ion assisted etching)：等离子体中的某些阳离子有助于清除在基材上生成之抑制层，使自由基有较多的机会与基材接触产生反应。 离子加强蚀刻(ion enhanced etching)：阳离子撞击基材表面，造成表面的缺陷而产生活性位置，使自由基容易吸附产生反应。 二、设备原理 刻蚀速率 刻蚀选择比 刻蚀均匀性 刻蚀均匀性 刻蚀表面、侧壁状况 气体 （类型、流量、比例） 功率 （RF、ICP） 腔室压力 温度 二、设备原理 RF功率对刻蚀速率的影响 二、设备原理 腔室压力对刻蚀速率的影响 二、设备原理 气体流量对刻蚀速率的影响 二、设备原理 BCl3、Cl2比例对刻蚀速率的影响 二、设备原理 非刻蚀区域用光刻胶保护不被刻蚀（Mask Layer） 刻蚀区域淀积反应生成物掩膜 水平掩膜被打掉，反应继续进行，侧壁有掩膜做保护，不被刻蚀 GaN刻蚀： Cl2+BCl3 二、设备原理 2.2 设备主要组成部分 真空系统 控制系统 配气系统 射频系统 冷却系统 二、设备原理 2.2.1 真空系统 真空腔室 主腔室 预腔室 真空泵 机械泵 分子泵 真空计 CM Gauge Pirani Gauge Penning Gauge APC ICP刻蚀机真空系统示意图 二、设备原理 1.真空腔室 预腔室 主腔室 主腔室示意图 ICP刻蚀机腔室切面图 二、设备原理 ICP刻蚀用托盘 SiC盘（27片） 导热性好 主要用于刻蚀GaN Al盘（9片） 导热性好 主要用于刻蚀蓝宝石 石英盘 导热性差 价格低 2.真空泵 ACP 40G ADP 122P ATM 1300M 二、设备原理 ACP 40G、ADP 122P：Alcatel多级罗茨泵 二、设备原理 罗茨泵的工作原理 罗茨泵在泵腔内，有二个“8”字形的转子相互垂直地安装在一对平行轴上，由传动比为1的一对齿轮带动作彼此反向的同步旋转运动。在转子之间，转子与泵壳内壁之间，保持有一定的间隙，可以实现高转速运行。由于罗茨泵是一种无内压缩的真空泵，通常压缩比很低，故高、中真空泵需要前级泵。 由于转子的不断旋转，被抽气体从进气口吸入到转子与泵壳之间的空间v0内，再经排气口排出。由于吸气后v0空间是全封闭状态，所以，在泵腔内气体没有压缩和膨胀。 但当转子顶部转过排气口边缘，v0空间与