半导体物理第七版答案(精).docxVIP

半导体物理习题解答 1－ 1．（ P32）设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec（ k）和价带极大值附近能量 Ev（ k）分别为： h 2 k 2 h2 (k k1) 2 h 2 k12 3h 2 k 2 Ec(k)= + 和 Ev(k)= － ； 3m0 m0 6m0 m0 m0 为电子惯性质量， k1＝ 1/2a； a＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解 ] ①禁带宽度 Eg 根据 dEc(k) ＝ 2h 2k ＋ 2h2 (k k1 ) ＝ 0；可求出对应导带能量极小值 Emin 的 k 值： dk 3m0 m0 kmin ＝ 3 k1 ， 4 由题中 E 式可得： E ＝ E (K)|k=k h 2 ； min C min C 4m0 由题中 EV式可看出，对应价带能量极大值 Emax的 k 值为： kmax＝ 0； 并且 E ＝ E (k)|k=k h2k12 ；∴ Eg＝ E － E ＝ h 2k12 ＝ h2 min V max min max 48m0 a 2 6m0 12m0 ＝ 48 (6.62 10 27 )2 10 11 ＝ 0.64eV 9.1 10 28 (3.14 10 8)2 1.6 ②导带底电子有效质量 m n d 2 EC 2h 2 2h2 8h2 n＝ h 2 d 2 EC 3 dk 2 3m0 m0 3m0 dk 2 8 ③价带顶电子有效质量 m’ d 2 EV 6h2 h 2 d 2 EV 1 m0 dk 2 m0 ，∴ mn / dk 2 6 ④准动量的改变量 h △k＝ h ( kmin - kmax)= 3 hk1 3h [ 毕 ] 4 8a 102 7 33）晶格常数为 0.25nm 的一维晶格，当外加 1－ 2．（ P V/m ，10 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到 能带顶所需的时间。 [解 ] 设电场强度为 E，∵ F=h dk =qE（取绝对值） ∴ dt = h dk dt qE t 1 h h 1 dk= ∴ t= dt = 2a 代入数据得： 0 0 qE qE 2a 1 t ＝ 1.6 6.62 10 -34 ＝ 8.3 10 6 （ s） 2 10 19 2.5 10 10 E E 当 E＝ 102 V/m 时， t＝ 8.3× 10 － 8（s）； E＝ 107V/m 时， t＝ 8.3× 10 － 13（ s）。 [毕 ] 3－7 ．（ P81）①在室温下，锗的有效状态密度 Nc＝ 1.05 × 1019cm－ 3， Nv＝ 5.7 × 1018cm－3，试求锗的载流子有效质量 mn* 和 mp* 。计算 77k 时的 Nc 和 Nv。已知 300k 时， Eg＝ 0.67eV 。77k 时 Eg＝0.76eV 。求这两个温度时锗的本征载流 子浓度。② 77k ，锗的电子浓度为 1017cm－ 3，假定浓度为零，而 Ec－ED＝ 0.01eV, 求锗中施主浓度 ND为多少？ [ 解 ] ①室温下， T=300k（ 27℃） ,k 0=1.380 × 10-23 J/K ，h=6.625 ×10-34 J·S， 对于锗： Nc＝ 1.05 19 －3 18 － 3 ×10 cm ， Nv=5.7 × 10 cm ： ﹟求 300k 时的 Nc 和 Nv： 根据（ 3－ 18）式： * 2 2 (6.625 10 34 )2 (1.05 19 2 3 Nc 2( 2 mn k0T ) * 2 2 5.0968 10 31 Kg 根据（ 3－ 23）式： h3 mn 2 k0T 2 3.14 1.38 10 23 300 2(2 m*p k0T ) 2 * 2 (6.625 10 34 )2 (5.7 18 2 31 3 Nv mp 2 2 3.39173 10 Kg ﹟求 77k 时的 Nc 和 3 2 k0T 2 3.14 1.38 10 23 h 300 Nv ： 3 Nc 2(2 mn* k0 T ) 2 23 23 23 h3 T ) T N c ( 77 19 19 Nc 3 ( ; Nc ( ) ) 1.05 10 1.365 10 2(2 mn* k 0T ) 2 T T 300 h3 同理： 3 3 N v (T ) 2 N v (77)2 5.7 1018 7.41 1017 T 300 ﹟求 300k 时的 ni ： 1 Eg 0.67 ) ni ( NcNv) 2 exp( ) (1.05 1019 5.7 1018 ) exp( 1.96 1013 2k0T