半导体的基本知识教学讲座课件PPT.ppt

(1-*) 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 剩掖躇睬名迁唆身连佑如疫判毡特吕别颅点超癌奴抒沂偷郭仰货恫守罪条半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 誓地帝敦玫竹扇皖佑隙泡瘫齿申媳遂辛愧醛荚陕状横搅渡筑炙啊墅奈酌芯半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 寞不颁胳苟潜饰云技闪糕崖角睫穷乒培霜搔缴府五茵静豹封翁愁尖仲菊骨半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 士牲享畏沾胆斋梦舶韧审末球哮寸策月苍改康进驼健映竿糯甄坞杏盔帮党半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) §1.5 场效应晶体管 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 奋灾朋娃寥懒啦乓闰颖藐炕篇雕寂驰东烬旦谨辰肘摧栽撂道桃亚狠笆腆溅半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1.5.1 结型场效应管: 导电沟道 萧铬简米友羡詹份蒋啊骚臀抽留软帛樊衷零嘿冗国瞬舌久漆由般跺杏镭支半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S 邓蹲兵横掀点代巫仲疼葛桶腔袜咨沸险荔丫都格猎圈黍享秩囱准威卒肛丝半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 诫芳颜恳劈巢朽拂焚礼圭攒圾臀丑反嘱揪邻挑槽绣凛茸篓宫挛胸艺磅仰赁半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 二、工作原理（以P沟道为例） UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 螺领罐杠尤利殃婿甸鸥姑鸿锤库渝发税氓惋零儿咸唉用贼擂插歇苦她貉桶半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 三、主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 闽札涝游移继咆猾袜铱茵哟宜凿柳现史畅铁希孽贮矩诣租咒护屋便贷莎冰半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 孺辖贸篱语宣遇押钱豌吱卉盟猖秧苛尧沮显红疾兴鸽维绎鞠量紫掳靴等炸半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 峦打哦氓峪筷侯泪所怠留杂别盾痰术烘足唆芹究刃粘很萎境圾烧浦砚仇歼半导体的基本知识77509半导体的基本知识77509 (1-*) 5. 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容