半导体物理_(刘恩科_教材版本)培训资料.pptVIP

运用上述理论分析实验结果： 1)B沿[111]方向，六个方向的夹角余弦只有一个相同值，有效质量 只有一个取值； 2) B沿[110]方向，六个方向的夹角余弦有二个值0和1/2。有效质量有2个值； 3) B沿[100]方向，六个方向的夹角余弦有二个值0和1。有效质量有2个值； 4)任意方向，六个方向的夹角余弦有三个值，有效质量有3个值。 硅的三维等能面见图24a，锗和硅的晶格常数不同，三维等能面也不同。在111方向的简约布里渊区的八个面上，见图24a。 作业 P33：习题3 和 4。 .精品课件. * 第二章半导体中杂质和缺陷能级 半导体偏离理想的情况： 2)含杂质，不纯净 1)在平衡位置附近振动，不静止在格点上 3)存在缺陷(点、线、面) 主要讨论杂质和缺陷： 杂质的影响：105个硅原子中有一个杂质硼原子，室温电导率增加103个数量级。 缺陷的影响：硅平面器件要求位错密度控制在103cm2以下。 原因1.破坏了周期性势场； 2.在禁带中引入了杂质能级。 .精品课件. * 2.1硅、锗晶体中的杂质能级 1.替位式杂质 间隙式杂质 杂质来源：原料、工艺、人为掺入。 杂质存在位置：金刚石晶体中，原子占全部的34%，空隙占66%。 空隙---间隙位置，如金刚石原胞中央的位置T和三个面心、三个体心原子的中央H。 存在方式：间隙式杂质，间隙原子存在于间隙位置(小原子) 替位式杂质，杂质原子替换晶体原子(人为掺入)，原子大小相近。 杂质含量：用杂质浓度表示，单位 cm-3。 .精品课件. * 2施主杂质、施主能级 在纯硅中掺入5价的磷P，磷的5个价电子中的4个形成了共价鍵，剩余一个价电子+多余一个正电荷中心P+。 价电子束缚在正电中心P+周围，此价电子很容易挣脱束缚，成为导电电子在晶格中运动，因磷离子为不动的正电荷中心，基本不参与导电。这种电子脱离杂质束缚的过程称为“杂质电离”。电子脱离束缚所需要的能量为“杂质电离能?ED”。 V族杂质能够施放(提供)导带电子被称为“施主杂质”或n型杂质。将施主束缚电子的能量状态称为“施主能级”记为ED。施主能级离导带底Ec的距离为?ED。 结论：掺磷(5价)，施主，电子导电，n型半导体。 .精品课件. * 3 受主杂质 受主能级 在硅中掺入3价的硼B，硼原子有3个价电子，与周围四个硅原子形成共价鍵，缺少一个电子，必须从周围获得一个电子，成为负电中心B-。 硼的能级距价带能级顶部很近，容易得到电子。 负电中心B-不能移动；而价带顶的空穴易于被周围电子填充，形成空穴的移动，即“导电空穴”。 这种能够接受电子的杂质称之为“受主杂质”，或P型杂质。 受主杂质获得电子的过程称之为“受主电离”； 受主束缚电子的能量状态称之为“受主能级EA”； 受主能级比价带顶EV高“电离能?EA” 。 .精品课件. * 电离能的大小： 硅中掺磷为0.044，掺硼为0.045(eV)。 锗中掺磷为0.0126，掺硼为0.01(eV)。 这种电离能很小，杂质可以在很低的温度下电离。故称之为“浅能级杂质”，在室温几乎全部电离。 杂质能级用短线表示，因杂质浓度与硅相比很低，杂质原子相互之间几乎无作用，杂质能级相同，量子的排斥原理对低浓度的杂质掺杂不起作用。 .精品课件. * 半 导 体 物 理 学 刘恩科等 国防工业出版社 .精品课件. * 参考书目： 1. 《半导体物理学》作者: 李名復??页数:376??科学出版社，出版日期:1991年2月第1版?(凝聚态物理学丛书). 2.《半导体物理学》作者:果玉忱??页数:271??国防工业出版社，出版日期:1988年12月第1版?? 3.《半导体物理学（上册）》作者:叶良修??页数:511??高等教育出版社，出版日期:1987年11月第2版? 4.《高等学校教学参考书 半导体物理学》作者:刘文明??页数:627??吉林科学技术出版社,出版日期:1986年第1版? 5．《半导体物理学》 孟宪章,康昌鹤编，吉林大学出版社, 1993.12 6.《半导体物理学》顾祖毅等著，北京 : 电子工业出版社 1995 .精品课件. * 简 介 普通物理学、统计物理学、量子力学 固体物理学 半导体物理学 、 电介质物理学 电场的作用： 产生电流 产生电荷感应 .精品课件. * 应用范围 半导体器件、IC器件等电荷运动的机理。 半导体材料、陶瓷(半导化)材料的导电机理。 新型有机材料及其复合材料的机理分析。 各种发光材料的电荷运动机理。 .精品课件. * 课程概括 单晶材料中的电子状态及运动规律 处于热电平衡时： 晶体材料的结构与能带--? 第一章 杂质和缺陷---? 第二章 电子运动状态---? 第三章* 运动规律---? 第四章* 非电学平衡---